【摘 要】
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使用金属有机物气相沉淀方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量,发现在生长温度为450℃,厚度约15 nm的缓冲层上外延所得到的晶体质量最理想;此外,外延层厚度的增加对其晶体质量有明显改善作用.本实验在优化生长条件的同时,也考虑了热退火等辅助工艺,量后所获得的外延层的双晶X
【机 构】
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北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,100876 北京邮电大学继续教育学院,100876
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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使用金属有机物气相沉淀方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量,发现在生长温度为450℃,厚度约15 nm的缓冲层上外延所得到的晶体质量最理想;此外,外延层厚度的增加对其晶体质量有明显改善作用.本实验在优化生长条件的同时,也考虑了热退火等辅助工艺,量后所获得的外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)的ω/20扫描外延峰半高全宽(FWHM)值为238.5 arcsec.
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