场板相关论文
氧化镓（Ga2O3）作为一种新型的超宽禁带半导体材料，与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比，具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特......
Ga2O3是一种新型宽禁带半导体材料，禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm, Baliga优值超过3 000,因此在制作功率器......
随着社会生产的需求,GaN作为宽禁带材料,由于其优异的特性以及无需掺杂就能产生二维电子气的优势,成为高温、高频、大功率微波器件......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaN HFET）具有高击穿电压,高电子迁移率和低导通电阻等优越特性,已经成为国内外研究的热点。然......
作为一种新型的半导体材料,Ga2O3具有超宽的带隙、超高的临界击穿电场以及不同晶相下独特的性质,在光电子、高功率以及高频器件研......
击穿电压是IGBT的一个重要参数,而器件的击穿电压主要与终端结构有关,所以对终端结构的研究一直备受关注.文章设计了一种1700 V的I......
本文主要通过对场板和场限环终端结构的理论分析，介绍器件终端结构击穿电压随环间距、环宽度、场板长度等参数的变化规律。利用二维......
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电......
今年下半年，湖南省教委将对全省高校图书馆开展调研活动，以检查《规程》的贯彻现状和存在的主要问题，促进办馆条件的改善和水平的提高......
简单介绍了８５０Ｖ／１８Ａ、１２００Ｖ／８ＡＩＧＢＴ的研制与工艺，并给出了测试结果。
The development and technology of 850V / 18A and 1200V / 8AIGBT are briefly ......
从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达......
讨论了内场限环结构对ＬＤＭＯＳＴ耐压的影响，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式。同时，分析了内场限环ＬＤＭＯＳＴ的优化结构的......
文章讨论了内场限环结构ＬＤＭＯＳＴ的参数优化和器件耐压问题，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式．同时，对ＬＤＭＯＳＴ的优化结构......
对目前所采用的各种高压平面结终端结构的优化设计方法进行了分析比较，总结了其一般规律，给出了优化设计方法的流程图，并对终端结构的......
介绍了一种汽车用高边智能功率开关电路的工作原理。对该电路所涉及的功率ＶＤＭＯＳ器件、隔离技术及ＣＭＯＳ／ＶＤＭＯＳ兼容工艺设计进行了详细分析，最后给出了......
本文基于 Ｃ Ｉ Ｆ 版图格式的数据结构，开发了一个高压功率器件的版图自动生成器，并利用该软件设计了一个具有双层浮空场板的高压功率 Ｌ ......
提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法，分析了下ＦＰ－ＪＴＥ终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响，结果表明击穿电......
采用边界元法对非穿通情况ＦＰＪＴＥ结构的特性进行了分析计算，发现击穿电压与注入剂量及界面电荷呈线性关系，场板对界面电荷敏感性有抑制作......
给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统......
对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板......
通过在SOI LIGBT中引入电阻场板和一个p MOSFET结构 ,IGBT的性能得以大幅提高 .p MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到 .在IGBT关断......
设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出......
研究了场板终端技术对改善 MOSFET栅下电场分布和碰撞电离率的作用 ,结果表明 ,MOSFET在高压应用时 ,漏极靠近表面的 PN结处电场最......
只要有阿德尔曼在,一切都好办了! 2006年,阿泰斯特对阿德尔曼说:“教练,我们一定要杀入季后赛。”话落,周围的人都在笑他,当时阿德......
据《Semiconductor FPD World》2006年第10期报道,NEC成功开发了采用氮化物宽禁带材料晶体管制作的大功率放大器,应用于第三代手机......
简介用户对于节能与小尺寸的需求,正不断推动功率转换区块的发展。AC/DC与DC/DC转换器拓朴的持续演进,也使得转换器的效率不断提升......
简介 集成电路(Ic)的静电放电(ESD)强固性可藉多种测试来区分。最普遍的测试类型是人体模型(HBM)和充电器件模型(CDM)。这......
大同数来宝《你幸福吗》——这样的报幕往往不足以吸引观众的注意力,因为长时间以来观众对于数来宝、快板的定性早已根深蒂固:或传......
通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaNHEMTs和栅源双层场板GaNHEMTs电流崩塌现象的物理机理......
介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)器件的设计原理,分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性......
本文对具有不同的栅源双场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了......
基于标准工艺自主研制了L波段0.5μm栅长的GaN HEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长的AlGaN......
2.3大栅宽器件大栅宽常关GaN功率开关器件的发展是走向工程应用,2009年报道了栅宽为20 mm的5 A/1 100 V常关GaN功率开关器件在升压......
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参......
美国研究者近日研发出硅基垂直肖特基和pn氮化镓二极管,性能可与在其他成本较高的衬底上生产的器件相比肩。来自麻省理工大学的研......
日本Toyoda Gosei公司近日研发出垂直氮化镓肖特基势垒二极管(SBD),能够在790V反向阻断的条件下,处理50A的正向电流。研究人员称,......
为了提高小尺寸绝缘体上硅(SOI)器件的击穿电压,同时降低器件比导通电阻,提出了一种具有L型源极场板的双槽SOI高压器件新结构.该结......
Notre Dame大学的研究者们称,硅基侧向AlGaN/GaN肖特基势垒二极管可实现行业内最高1.9kV的击穿电压美国Notre Dame大学的研究者称,......
设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用Al N插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度。采用场板结构提高......
日本研究者在基于自立式氮化镓衬底上制造出的垂直结构的氮化镓p-n二极管中实现突破性水平的击穿电压和较低的导通电阻。这一产品......
通过反应离子刻蚀(RIE)系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C......
基于0.25μm GaN双场板(DFP)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款2~18 GHz连续波输出功率大于10 W的功率放大器微波单片集成......
