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借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅一二氧化硅界面残余应力的微结构应变计,并对其测量结果作了讨论.
一种测量Si/SiO界面残余应力的微结构应变计
【摘 要】
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借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅一二氧化硅界面残余应力的微结构应变计,并对其测量结果作了讨论.
【机 构】
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大连理工大学微机电系统研究中心(大连)
【出 处】
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中国仪器仪表学会第四届青年学术会议
【发表日期】
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2002年12期
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