【摘 要】
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以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体以其优异的物理性能成为下一代理想的电力电子材料,但是在GaN电力电子器件全面实现商品化道路上,仍然面临着诸多挑战,其中制备高度可靠稳定的GaN常关型MOSFET功率器件,就是目前学术界与产业界公认的一个科技难点.针对这一问题,中山大学课题组早在2008年提出了采用选择区域外延(SAG)的方法制备槽栅结构GaN常关型FET器件的技术方案,并于2010年首次实现了常关型
【机 构】
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中山大学微电子学院电力电子及控制技术研究所 广州 510275
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体以其优异的物理性能成为下一代理想的电力电子材料,但是在GaN电力电子器件全面实现商品化道路上,仍然面临着诸多挑战,其中制备高度可靠稳定的GaN常关型MOSFET功率器件,就是目前学术界与产业界公认的一个科技难点.针对这一问题,中山大学课题组早在2008年提出了采用选择区域外延(SAG)的方法制备槽栅结构GaN常关型FET器件的技术方案,并于2010年首次实现了常关型肖特基槽栅AlGaN/GaN HFET的制备,该方法的提出主要目的是为了避免常规方法在制备常关型结构(如干法刻蚀槽栅结构、氟化处理栅极结构、结型栅结构)时由于等离子体的处理对器件有源区造成的物理损伤,以期避免由于器件工艺而引入额外的晶格缺陷,对器件稳定性造成影响.
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