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研究了等离子增强化学气袍淀积(PECVD)制备SiO2薄膜工艺的反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压力、基片温度等工艺参数对沉积速率的影响，并进行了一些理论分析。同时选择几种沉积速率比较高的程序进行LED芯片样品制作，发现SiO2薄膜沉积速率过快，会对其膜的腐蚀速率和绝缘性有一些不良影响，最后给出了比较合适的SiO2薄膜沉积程序。