SiO2薄膜相关论文
研究了SiO2薄膜的微结构与水吸收特性之间的内在联系,分别在Si、Al2O3和JGS3基底应用电子束蒸发沉积SiO2薄膜。实验用原位傅里叶红......
制备SiO2腐蚀溶液BOE,对SiO2湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析.首先分析了光刻工艺对SiO2薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形......
针对半导体产业对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用自制的PECVD设备研究了SiO2薄膜生长的膜厚均匀性分别与喷淋板孔结构和工艺参数之间......
SiO2薄膜由于具有玻璃态或无定形结构特征，分子呈现长程无序、短程有序的网络环形结构，使其不仅在光学透射带内具有极其优异的光学特......
本文叙述了 Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备 SiO2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约 200℃,而淀积时间、反......
SiO2薄膜是重要的低折射率材料之一,针对离子束溅射(IBS)和电子束蒸发(EB)的SiO2薄膜,采用红外光谱反演技术获得在400—1500 cm 1......
基于正交试验方法,系统研究了用离子束溅射法制备SiO2薄膜其折射率、应力与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之......
酸性条件下,以正硅酸乙酯为主要原材料,通过溶胶凝胶法引入不同长度桥联基团的有机硅氧烷调节SiO2粒子中的孔径大小和膜层脆性,利......
在碱性催化条件下正硅酸乙酯的溶胶体系中,引入二甲基甲酰胺(DMF)进行原位共溶胶凝胶,并结合常压干燥工艺制备多孔SiO2增透薄膜。......
研究了等离子增强化学气袍淀积(PECVD)制备SiO2薄膜工艺的反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压力、基片温度等工艺参数对沉......
氧化锌（ZnO）是一种直接带隙宽禁带半导体材料。它具有很多的优异特性，如近紫外光发射特性、传感特性、生物兼容性等，在发光器件、紫外......
为了提高铝颜料在水性涂料中的耐腐蚀性能,以正硅酸乙酯(TEOS)为前驱物,通过溶胶-凝胶反应在铝颜料表面形成了一层致密的二氧化硅......
有机／无机复合光功能材料随着信息技术的发展在近十年来取得了很大的发展，受到国际学术界的广泛关注。溶胶凝胶法作为一种低温合成方......
论文采用薄膜的多层膜系分析方法建立了FBG光纤光栅薄膜传感器的理论模型。由于基板的热膨胀系数与膜系的热膨胀系数不同，在受热情......
在低地轨道（LEO）中，原子氧（AO）是导致空间高分子材料性能变化的主要原因，AO侵蚀严重影响了航天器的工作寿命。在空间高分子材料表面涂覆......
采取离线磁控溅射镀膜工艺，在玻璃上镀制多层介质膜，通过薄膜干涉的方式，使得玻璃表面着色。该方法的色彩的可控性和操作灵活性较强，改......
随着信息技术的迅猛发展，用光代替电作为信息的载体，加快信息的传递速度，已成为光通讯技术和光电子计算机发展的必然趋势。光电子信息......
21世纪，科学技术正以其迅猛的发展改变着人们的生活，但随之而来的能源短缺、环境污染及全球变暖等却成为人类生存所面临的首要问题。......
用1.064μm波长的单脉冲(6 ns)激光对K9玻璃基底上电子束沉积的单层SiO2薄膜进行了辐照损伤实验。以扫描电镜对K9基底的断面进行分......
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备了SiO2膜．由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065～1088......
基于荷能离子与固体相互作用特点,提出了一种新的制备光致发光材料的方法-- 高能重离子辐照. 用这种方法研究了SiO2薄膜的光致发光......
在半导体平面工艺中,SiO2层薄膜的质量对半导体器件的成品率和性能有重要影响,因而需要对SiO2层薄膜的厚度作必要的检查.SiO2层厚......
SiO2 薄膜由电子束蒸发方法沉积而成。用GPI数字波面光学干涉仪测量了不同沉积条件下玻璃基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了 ......
采用溶胶-凝胶技术分别在K9基片上镀制了光学厚度相近的单层SiO2酸性膜和碱性膜。测试了两类薄膜的激光损伤阈值;分别采用透射式光......
对Si- SiO2基底薄膜系统进行数值实验，将SiO2薄膜的能损函数与透过率光谱和反射椭圆偏振光谱进行对比，讨论了在红外透过率光谱和反射......
在溶胶 凝胶基础上 ,采用碱 /酸两步法和浸渍镀膜技术制备出纳米多孔SiO2 薄膜 ,并将该薄膜在空气和氨气与水蒸气的混合气体中热......
报道了实验制备条件对纳米多孔SiO2 薄膜结构、折射率、红外吸收、XPS等特性的影响 ,尤其是报道了一种新的快速、方便、有效实现纳......
微机电系统和集成电路中常用的热氧化SiO2是各向同性材料,研究了其在单轴应力场中介电常数的变化规律。依据介质在自由和束缚两种......
用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备......
利用斜角蒸镀工艺镀制SiO2薄膜是获得低折射率薄膜的一个有效方法。通过电子束蒸发镀膜方式,利用自制的斜角蒸镀装置,研究了SiO2材......
采用溶胶-凝胶法，研究了催化剂和反应温度对正硅酸乙脂溶胶-凝胶过程中胶凝时间的影响，观察了不同基材上制得的SiO2薄膜的表面形貌．发......
采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）工艺在金属钛基底上制备SiO2薄膜。探讨了工艺条件对SiO2薄膜质量的影响。用X射线衍射（XRD）、红外光谱（FTIR）和扫......
采用溶胶-凝胶法在片状铝粉表面包覆SiO2薄膜，以改善其耐酸性能。分析了正硅酸乙酯（TEOS）水解一缩聚反应在粒子表面包覆SiO2膜的形成......
采用溶胶-凝胶工艺,以正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,结合三甲基氯硅烷(TMCS)对胶粒的修饰作用,利用浸渍提拉法在玻璃表面制备了具有一......
测量了Nd,Ce稀土离子注入Si基晶片,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且......
为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO2薄膜的应......
具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流......
用溶胶凝胶两步反应制备SiO2溶胶，采用辊涂法在光伏玻璃上制备单面SiO2薄膜。通过控制辊涂速度来调节膜层的厚度，膜层厚度的变化可以......
采用射频磁控溅射技术用单晶SK（111）和载玻片制备了SiO2薄膜。对薄膜进行了不同温度的退火处理。利用X射线衍射仪，紫外一可见分光光度......
用反应溅射法制成了SiO2薄膜,应用傅立叶变换红外吸收光谱图研究其特性。Si-O-Si键的伸缩振动吸收峰和弯曲振动吸收峰分别位于1100......
介绍了用溶胶-凝胶/表面活性剂模板/添加剂的方法制备的SiO2薄膜对Ti6Al4V合金恒温氧化性能的影响.恒温氧化实验结果表明,制备的Si......
采用溶胶-凝胶法在玻璃表面制备出透明的憎水性FAS-SiO2纳米复合薄膜，研究了各工艺参数对薄膜憎水性能的影响，利用原子力显微镜（AFM）观......
根据3ω方法测试原理,搭建了薄膜导热系数测试平台.在40～170 K温度范围内,测试等离子体增强化学气相淀积(PEcVD)方法制备的SiO2薄膜......
目的探讨SiO2薄膜是否会影响镍铬合金烤瓷修复体的色泽。方法采用溶胶-凝胶法在镍铬合金烤瓷基底冠表面镀SiO2薄膜,以此将制作的12......
使用射频溅射和溶胶-凝胶(Sol-Gel)两种方法在玻璃表面制备SiO减反射薄膜,比较两种方法制备的薄膜减反效果.分析了Sol-Gel方法中溶......
采用由多孔SiO2薄膜和过渡SiO2薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘．利用溶胶凝胶方法制备了多孔SiO2......
