切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
一个固有单调特性的10位CMOS D/A转换器IP设计
一个固有单调特性的10位CMOS D/A转换器IP设计
来源 :第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lanbing510
【摘 要】
:
在传统的分段电流舵D/A转换器的基础上,设计了一种改进的分段D/A转换器结构方式。通过改变D/A转换器分段结构的实现方式,降低了器件失配对D/A转换器DNL的影响。此种结构可以使D/A转换器具有固有单调特性。
【作 者】
:
臧剑栋
王友华
付东兵
梁盛铭
【机 构】
:
中国电子科技集团第二十四研究所,重庆 400060 模拟集成电路重点实验室,重庆 400060
【出 处】
:
第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
:
2011年7期
【关键词】
:
CMOS集成电路
数模转换器
单调特性
分段电流舵
电路设计
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
在传统的分段电流舵D/A转换器的基础上,设计了一种改进的分段D/A转换器结构方式。通过改变D/A转换器分段结构的实现方式,降低了器件失配对D/A转换器DNL的影响。此种结构可以使D/A转换器具有固有单调特性。
其他文献
一种新型极化整流器的设计和实现
极化整流器是电化学整流系统的一部分,是在整流器停车时,防止电解槽因反电势而造成电解槽极板腐蚀的应急电源。传统极化电源装置采用相控整流方式,由于设计要求与运行状态的差异,常带来严重谐波和无功消耗的问题,甚至影响动力电源的质量。极化整流器采用整流-斩波变流技术,能有效提高功率因数,使极化电源的稳流稳压精度和变流效率得到了较大的提高。
会议
极化整流器
变流方式
斩波电路
功率因数
热屏底端位置对生长300 mm硅单晶热场影响的数值模拟
数值模拟技术是分析和优化大直径硅单晶生长的有效工具。采用有限元分析软件FEMAG-CZ计算了在700mm热场中生长300mm直拉单晶硅的过程中,当热屏底端处于不同位置时热场中的温度分布。模拟中考虑了熔体和气流流动对晶体生长过程的影响,通过对生长界面上V/G比值、热应力的分析,得出:在该热场中尽量低的坩埚位置和距晶体适当近的热屏底端位置有利于生长高质量晶体。模拟计算结果表明,在该热场条件下,最佳热屏
会议
半导体材料
直拉硅单晶
数值模拟
热屏低端位置
固液界面
微波低噪声锗硅功率HBT的性能优化和良率提升
介绍了具有自主知识产权的微波低噪声锗硅(SiGe)异质结双极晶体管(HBT),给出了器件的基本结构及它的基本工艺流程。通过对集电区埋层、外延浓度和厚度,选择性离子注入、锗硅外延厚度、硅、锗、硼的相互位置、发射极窗口介质选择、发射极多晶硅生长条件等的优化,可得到优异的器件直流和射频性能,并得到超过98%的成品率。本产品应用于2 GHz频率的低噪声放大器,已经进入批量生产。
会议
锗硅异质结双极晶体管
直流性能
射频性能
性能优化
低噪声放大器
背栅偏置对部分耗尽SOI器件记忆效应的影响
由于部分耗尽(PD)SOIMOS器件的浮体效应,在PDSOIMOSFET输出特性曲线中明显表现出记忆效应。在器件I-V特性曲线测试中,正向扫描与反向扫描的差值定义为ID-hygteresis·ID-hysteresis成功表征了背栅偏置对PD SOI MOSFET记忆效应的影响.研究结果显示,对于0.13μm的PD SOI MOSFET,器件的记忆效应对背栅偏置敏感,但是ID-hygteresis
会议
金属-氧化物-半导体场效应管
记忆效应
绝缘层上硅
背栅偏置
氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响
研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性。结果显示:随着总剂量的增加,晶体管基极电流增大,电流增益下降,且薄氧化层的晶体管比常规厚氧化层的晶体管退化更严重。另外,两种NPN晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应,并对各种实验现象的损伤机理进行了分析。
会议
NPN双极晶体管
辐射效应
氧化层厚度
低剂量率
退火特性
双极型模拟集成电路抗辐射加固技术
介绍了辐射环境下影响双极型模拟集成电路可靠性的主要因素,揭示了双极型模拟集成电路抗辐射加固研究工作的重要性和紧迫性。通过对设计、工艺、原材料和元器件等方面采取对策和措施,达到提高双极型模拟集成电路抗辐射加固能力的目的。
会议
武器装备
双板型集成电路
可靠性分析
失效模式
辐射效应
辐射加固
半导体集成电路贮存寿命加速试验技术
军用半导体集成电路必须满足长期贮存、随时可用和能用的要求。加速贮存寿命试验作为可靠性试验的一个重要组成部分,是评价,控制、提高集成电路贮存寿命的常用方法。简要介绍了加速贮存寿命试验的概念及方法,从实际操作角度比较了各种方法的优点、缺点,并对其应用情况做了介绍。
会议
军用电子设备
半导体集成电路
加速贮存试验
贮存寿命
可靠性分析
相变存储器单元总剂量辐射效应的研究
通过60Co辐射源及电子加速器辐照实验,分析器件单元的I-V特性、R-V特性以及相变材料阻值的辐照前后变化,研究基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元的抗辐照能力。实验显示,辐照后器件单元的阈值电压及阈值电流未发生明显变化,相变特性稳定,相变材料的晶态和非晶态阻值仅有微小变化。结果表明,基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元具有较强的抗辐照能力。
会议
航天器
相变存储器
总剂量辐照
抗辐照能力
一种应用于高精度ADC中的新型自举开关
介绍了一种新型CMOS栅极自举开关电路。该电路适用于14位250MHz采样频率的A/D转换器。在传统栅极自举开关上增加一个单元,可以有效地克服采样电路导通时寄生电容变化引入的非线性失真,提高采样精度。
会议
CMOS集成电路
栅极自举开关
模数转换器
寄生电容
动态性能
基于逐次逼近的可编程模拟阵列自校准方法
输入失调校准技术是现场可编程模拟阵列的关键技术之一。根据可编程模拟阵列的结构特点,基于逐次逼近原理,提出一种现场可编程模拟阵列输入失调自动校准算法。该算法不仅可以校正电路因器件失配、工艺偏差引起的失调,还可校准因时间或温度因素引起的电路失调。可编程模拟阵列采用0.35μmCMOS+EEPROM工艺实现。测试结果表明,校准后的输入失调电压小于75μV,平均校准时间小于300ms。
会议
现场可编程模拟阵列
失调控制
自校准算法
逐次逼近原理
与本文相关的学术论文