【摘 要】
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制备了LaFeSiC间隙化合物.研究表明:该间隙化合物仍保持了LaFeSi的NaZn立方晶体结构,间隙C原子的引入导致晶格膨胀了约0.35﹪,居里点提高了约50K,同时,仍然保持大的磁熵变,在02
【机 构】
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中科院物理研究所磁学国家重点实验室(北京)
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制备了LaFe<,11.6>Si<,1.4>C<,0.5>间隙化合物.研究表明:该间隙化合物仍保持了LaFe<,11.6>Si<,1.4>的NaZn<,13>立方晶体结构,间隙C原子的引入导致晶格膨胀了约0.35﹪,居里点提高了约50K,同时,仍然保持大的磁熵变,在0<->2T磁场变化下,磁熵变达到Gd的2倍以上,大磁熵变源于磁场诱发的巡游电子变磁相变.该间隙化合物具有大磁熵变,同时使用了约80﹪的廉价铁原料,使得该化合物成为一种很有前途的磁致冷材料.
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