【摘 要】
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本文采用分子束外延生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.霍尔效应和电阻率测量得到PbSe薄膜均具有p型导电性,载流子浓度为(5～8)×1017 c
【机 构】
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浙江大学物理系、硅材料国家重点实验室,杭州,310027
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文采用分子束外延生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.霍尔效应和电阻率测量得到PbSe薄膜均具有p型导电性,载流子浓度为(5～8)×1017 cm-3,室温空穴迁移率为～300 cm2/v·s,随温度降低迁移率增大,77K温度下的迁移率达到3×103 cm2/v·s.通过对PbSe材料的杂质电离极化散射、声学波形变散射、声学波压电散射、光学波非极性散射及其光学波极性散射的迁移率理论计算,结果表明,在77K～295K温度范围,PbSe的长纵光学波散射是影响载流子迁移率的主要散射机理.同时,Raman光谱测量显示,在温度＞200K,不仅观察到了PbSe长纵光学声子散射LO(Γ),还观察到了其它光学声子的散射,这些观察到的声子散射影响了PbSe的空穴迁移率.
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