【摘 要】
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本文利用脉冲激光沉积方法(PLD)在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,制备n-ZnO/p-Si光电二极管,研究了衬底温度对二极管光电效应的影响.结果表明,在400℃,500℃,550℃和600℃下生
【机 构】
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曲阜师范大学物理工程学院,曲阜,273165
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文利用脉冲激光沉积方法(PLD)在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,制备n-ZnO/p-Si光电二极管,研究了衬底温度对二极管光电效应的影响.结果表明,在400℃,500℃,550℃和600℃下生长ZnO制备的二极管都有一定的整流特性,反向暗电流随着衬底温度的升高略有增加,在550℃下制备的样品具有最明显的光电效应.二极管对可见光和紫外光呈现出不同的响应性.在可见光照射下,光电流随反向偏压急剧增大,偏压增大到某一值时,光电流增速变小,而在紫外光下,光电流有逐渐增大的趋势.根据ZnO的透射谱认为,可见光和紫外光是在n-ZnO/p-Si异质结不同的耗尽区诱导电子-空穴对产生光电流的.
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