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利用MOCVD生长了具有组分渐变的电子阻挡层(GEBL)的绿光LED,并研究了其对LED发光效率的影响。结果表明,相对于传统LED来说,GEBL LED的光致发光谱(PL)的峰值波长蓝移并且峰值强度增强,EL结果显示在相同的电流变化范围内GEBL LED的波长蓝移减小。器件封装测试显示GEBL LED的光功率在20mA和350mA下分别提高了163%和415%。发光效率的提高归结于极化电场的减小。