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通过XRD、SEM谱，分析了三步蒸发工艺生长的电池吸收层Cu(In，Ga)Se2薄膜结构特性。在覆有Mo膜的玻璃衬底上，Cu(In，Ga)Se2薄膜沿(112)或(220/204)择优生长变化，其变化趋势极其依赖于Mo膜、衬底温度曲线等薄膜生长参数。通过工艺参数调整，获得了具有(220/204)择优取向的光伏质量吸收层薄膜，制备出的薄膜电池效率达到13.28％(总面积1.44 cm2，AM1.5)。