快中子脉冲堆弱源爆发脉冲实验现象研究

来源 :第十三届反应堆数值计算与粒子输运学术会议暨2010年反应堆物理会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cclongman
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针对脉冲堆弱源爆发脉冲实验,通过引入有限裂变链及缓发中子先驱核的演化研究,对Hansen理论模型给予了改进,由此,可很好的模拟爆发脉冲等待时间概率分布实验。
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目前,制造高压N-/N+材料有三种方法:硅-硅键合技术、扩散减簿技术和外延技术。本文用扩散减簿技术和外延技术研制出了适于400V/500A的大功率晶体管又名巨型晶体管(GiantTransistor,简称GTR)的材料。通过工艺技术加工,研制出400V/500A的大功率晶体管。通过电参数测试:VceR≥400V,Veb0≥8V,在Ib=10A条件下测试,外延材料晶体管的Ic达到173A;扩散材料晶
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