开关晶体管相关论文
瘫痪病人肢体运动功能的恢复是目前全世界重点关注的研究领域和亟待解决的医学难题。用“微电子肌电桥”的方法对瘫痪肢体进行功能......
目前,制造高压N-/N+材料有三种方法：硅-硅键合技术、扩散减簿技术和外延技术。本文用扩散减簿技术和外延技术研制出了适于400V/500A......
通常所指的的光源可分为紧凑型节能灯(CFL)、电子镇流器(Ballast)和电子变压器(Transformer)三种，目前这三种光源产品线路结构根据......
本文介绍了反向触发大功率快速开关晶体管(RSD)的工作原理、工作电路和开关特性,并对我们自己制造的RSD器件的开关特性作了一简单......
本文介绍了一种由高压双极型晶体管和低压功率MOSFET管结合而成的单片共射共基极结构智能功率开关.从结构和电气特性两方面描述了......
对一已研制成的响应精度优于０．１ｍｍ的超短脉冲（ｎｓ／ｐｓ）束流位置监测器中的电子学电路于在线安装前对其监测器的电中心进行了校准，以保证实际测量精......
本文探讨了高效率的稳定发射电流装置，提出了用单片机控制发射电流的方法。我们在实际中已采用了这种方法，电路简单，成本低廉，可靠性高......
对ＧＡＴ结构晶体管中栅的引入和栅参数改变对击穿电压的影响进行了定量计算，报告了计算的结果，以及对结果的理论分析。计算采用数值分析方......
在分析数字电路传统设计理论中存在问题的基础上,提出了应用开关变量与信号变量两者来分别描写数字电路中内部元件的开关状态及电......
针对大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)由于预充不足造成的非均匀开通缺陷,在直接预充放电工作电路的基础上,设计了一种两步式......
在11 MeV电子束辐照能量、不同辐照剂量和辐照退火条件下,研究了聚酰亚胺膜和氮化硅膜、二氧化硅膜、PSG膜以及它们组合形成的不同......
利用1.5 Me V Dynamitron电子加速器,在常温常压下通过改变电子注量和注量率等辐射参数对双极型开关晶体管晶圆芯片进行辐照处理,......
本文介绍一种以集成器件与光电耦合器等组成的PWM式直流调速系统,在应用中体现了调速范围宽,控制简单,易调节,机械特性好等特点,......
日本岛津1100A型500mA全自动X线机带有电视监视系统，是我科较频繁使用的机器。该机器使用时，控制台上的图像监视器经常出现故障，有时......
汽车拖拉机电子电器维修入门（续６）□傅恒章上接１９９７年第４期第１４面）４继电器继电器的用途十分广泛。它利用电磁原理和其它机电元件组成电路，实现......
一、引言由于晶体管的可靠性高,而且功率损耗小,所以它很适用于计算机线路中。计算机的大部份线路都已经用晶体管替换了真空管。......
本文简要介绍一种我国自行设计研制定型的中规模超高速移位寄存器。文中简述了移位寄存器的功能、要求、用法、基本单元电路以及工......
引言本文介绍已成批生产一年多的大型磁心存储器,它的容量为8192×56个数位,存取时间为1.5微秒。图1是它的作用框图。该存储器包......
本文介绍了一个已使用的半桥变换器电源的线路、设计考虑、使用情况和主要改进。前言关于晶体管直流电源,经典的串联调整方式具有......
故障现象:一台IBM/AT微机在运行过程中突然损坏。开机检查,发现市电输入保险丝烧断,末级驱动晶体管2SD1403(I_C=6A,V_(CEO)=800V,......
近几年来,出现了两种新的外延技术:分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)。这两种新技术提供了用常规方法制作高性能异......
本文论述了用来改善集成晶体管中存贮时间的绝对值、离散性和温度性能,并适应目前集成电路工艺的一种限饱和器件。
This article ......
如用线性集成电路(IC)制造控制电路,调节器就简单,成本低,效率高。
Such as the linear integrated circuit (IC) manufacturing ......
文献[1][2]曾经指出I~2L门的最小传播延迟时间是向上渡越时间以及向上和向下电流增益的递增函数。另一方面,功耗一延迟积随电压摆......
过去用半导体开关元件控制场致发光的方法如图1所示。图中显示器是场致发光器件,用从发生器来的交流电压激发。发生器的一头和显......
晶体管就其结构的特性来说是一种本质上可靠的器件,它们之所以会不可靠仅仅是由于制造不良及使用不妥所致。因此这里列举若干措施......
本文着重分析了串联开关稳压电源的稳压原理,串联开关晶体管的功率损耗及减小开关电源波纹的措施,同时给出了5伏10安培开关电源的......
肖特基 I~2L 利用集成注入逻辑 I~2L 或 MTL 原理,和离子注入方法,在同样密度下能比普通 I~2L 获得更好的性能。肖特基二极管是在......
引言为了揭示双极电路于低成本逻辑运用的潜力,需要考虑新的电路概念,这种电路较之目前应用的电路,应允许更高的功能集成但要求较......
E 类开关型调谐功率放大器的效率可接近100%。即使这种功率放大器的开关时间达到信号周期的若干分之一,由于减小了开关晶体管内的......
本文根据电流连续方程和电荷控制理论,推导了一个预示硅n~+-pn~-n~+高压功率开关晶体管的电流放大系数h_(FE)与收集极工作电流I_c......
虽然互补MOS晶体管的优良性能已为人们熟知好些时候了,但是由于其工艺复杂,封装密度低,因此很少用于大规模集成电路。现在,由于采......
目前,一般使用电子管制成的双稳态电子计数器,都能成功地使用氖泡作为指示器.但当使用晶体管制作双稳态电子计数器时,由于工作电......
互补MOS晶体管电路(CMOS)具有一些胜过通常的MOS电路的重大优点。最重要的是它在逻辑电路中的低电流量级,从而给出低功耗。这就使......
对硅开关晶体管来说,在基极驱动电流I_B_1和反抽电流I_B_2固定的条件下,测量出的存贮时间t_s随集电极电流的增加而增加或不变.这种......
本文详细地研究了两种基本调谐D类放大器的渡越与饱和损耗机理,这机理与激励波形、信号频率和晶体管类型有关。采用了电荷控制方......
在西德伯林根的国际商用机器公司子公司的实验室最近研制成一种大规模集成逻辑电路,它的门密度要比每平方毫米100个门的密度高得......
十三、器件测试采用前述各步工艺制作一个半导体器件之后,如何知道它们质量的好坏呢?这就要通过对器件的电参数测试反映出来,器件......
一、概述本文介绍的新型变换器具有单端和双端两种开关变换器的优点,而免除了这两种开关变换器的某些缺点。例如: 1)、新型变换器......
硅红外探测器阵列常由肖特基势垒探测器单元组成,这些单元通过转移栅和常规电荷耦合器件(CCD)的移位寄存器相连接。描述的新型器件......
晶体管的开关特性,与半导体中少子寿命有关,提高晶体管开关速度的传统工艺方法是借助于高温扩散在芯片中引入诸如金、铂等深能级......
