【摘 要】
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In order to achieve high device efficiency in blue-emitting polymer light-emitting diodes(PLED)and white-emitting PLED,low-conductive PEDOT:PSS CleviosTM P CH 8000(8000)has been used to replace widely
【机 构】
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State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,South China University of Technology,Guang
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In order to achieve high device efficiency in blue-emitting polymer light-emitting diodes(PLED)and white-emitting PLED,low-conductive PEDOT:PSS CleviosTM P CH 8000(8000)has been used to replace widely adopted high-conductive PEDOT:PSS CleviosTM P Al 4083(4083).In a blue PLED with poly(dibenzothiophene-S,S-dioxide-co-9,9-dioctyl-2,7-fluorene)(PF-FSO)as the emission layer,though the 8000 device has a higher efficiency and a lower turn-on voltage than the 4083 device,the 8000 device exhibits low peak luminance,sharp efficiency roll-off,and permanent degradation of the emission material.
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在东方超环托卡马克中性束注入系统(简称EAS-NBI)中，为了形成高真空的工作环境利于束的生成和传输，利用差分式结构布局布置一套1.4e6L/s 抽速的低温冷凝泵组在主真空室内部，可获得10-6Pa 量级的极限真空.根据中性束注入系统的工作原理，其中0.6e6L/s 抽速的前低温冷凝屏为饼式结构类型布置在第三段真空室内部第二段偏转磁铁的后面，内开束流通道.在束传输过程中，由于粒子间的相互碰撞以及带
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石墨烯以及和石墨烯类似二维材料由于其在光电器件，光探测器，润滑，催化剂等方面的巨大应用潜力，在过去的几年里已经引起了全世界研究者的广泛关注[1]。在众多的二维材料之中，过渡金属二硫化物(TMDCs)的带隙结构具有层数依赖性，同时其物理特性更加容易进行调制，因此成为近来研究者关注的焦点[2]。
本文提出了一种新型的真空场发射晶体管(VFET)，这种新型真空晶体管具有纳米尺度的真空沟道，以真空为载流子传输介质，器件工作时电子以弹道方式通过真空媒介，且工作电压低，功耗小，兼具了传统真空管和固态电子器件的优点。纳米尺度的间距接近电子在空气中的平均自由程，大大降低了电子与空气分子的碰撞几率，可以降低这种新型真空晶体管对真空度的要求，当真空沟道尺度达到几十纳米时，可以直接在大气压下工作。
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