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Se低能中性团簇束流淀积
Se低能中性团簇束流淀积
来源 :第九届全国原子与分子物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangjm
【摘 要】
:
利用低能中性团簇束淀积技术(LECBD)首次制备了Se团簇薄膜,发现其生长方式与传统的蒸发方法有明显的不同。原位电子束辐照观察到明显的晶化现象。
【作 者】
:
陈平平
王广厚
【机 构】
:
大学固体微结构国家重点实验室(南京)
【出 处】
:
第九届全国原子与分子物理学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
低能
电子束辐照
团簇薄膜
生长方式
淀积技术
蒸发
原位
晶化
方法
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利用低能中性团簇束淀积技术(LECBD)首次制备了Se团簇薄膜,发现其生长方式与传统的蒸发方法有明显的不同。原位电子束辐照观察到明显的晶化现象。
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