【摘 要】
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低维半导体量子材料是解决光纤通信领域光电子器件的重要因素,IN st,,有必要对严重影响低维自组织半导体材料光电性能的应变分布进行研究。本文利用格林函数法研究了InGaAs/GaAs量子线宽度对应变分布的影响,根据VandeWalle的固体模型理论分析了修正应变后的带隙。沿量子线宽度方向,量子线应变的绝对值明显减小,带隙则随量子线宽度增加而逐渐减小。
【机 构】
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北京邮电大学理学院北京 100876 光通信与光波技术教育部重点实验室(北京邮电大学),北京,100876
【出 处】
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全国第十三次光纤通信暨第十四届集成光学学术会议
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低维半导体量子材料是解决光纤通信领域光电子器件的重要因素,IN st,,有必要对严重影响低维自组织半导体材料光电性能的应变分布进行研究。本文利用格林函数法研究了InGaAs/GaAs量子线宽度对应变分布的影响,根据VandeWalle的固体模型理论分析了修正应变后的带隙。沿量子线宽度方向,量子线应变的绝对值明显减小,带隙则随量子线宽度增加而逐渐减小。
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