光增益相关论文
带间级联激光器在军事和民用上具有重要的应用价值。传统GaInSb/InAs/GaSb结构的有源区多量子阱的光学增益相对较小,特别的在高温......
随着信息技术日新月异的的发展以及“大数据”、“万物互联”等概念的提出,当今社会的信息量正呈现爆炸式的增长态势。海量信息的......
Si基高效发光器件是目前Si基光电集成回路最具有挑战的器件之一。Ge由于具有准直接带特性、高载流子迁移率、在1.55μm附近有高的......
掺铒光波导放大器是密集波分复用传输系统的重要组成部分,可以和调制器、光开关、阵列波导光栅、隔离器等任何有损耗的器件集成在......
Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布，......
研究了用MOCVD方法生长的InGaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)激光器阈值、温度依赖特性及光增益谱.在300K下2000μm腔长的激光器的激射阈......
AlGaN 半导体材料的帯隙宽度可以从3.4eV 到6.2eV 连续可调，覆盖了从365 nm 到200 nm 的紫外波段，是制备紫外短波长发光和探测器件不......
研究了用MOCVD方法生长的InGaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)激光器阈值、温度依赖特性及光增益谱。在300 Κ下2000 μm腔长的激光器的激......
通过在CsPbBr3纳米晶体中加入油胺铟(In(OAm)3)和支化三(二乙胺)膦(TDP)配体,在减缓晶体生长速度的同时促进取向生长,获得了CsPbBr......
Localized fields in the defect mode of one-dimensional photonic crystals with active impurity are studied with the help ......
光纤通讯用GaAs基高性能1.55微米量子点激光器引起了人们的广泛关注。然而,由较大晶格失配引起的应变、位错等缺陷,导致GaAs基InAs......
惯性导航技术应用领域的不断深化，对光学陀螺的性能提出了更高更新的要求。尤其在航空航天领域，集成光波导陀螺在继激光陀螺和光......
随着波分复用技术的发展,成本低廉,易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视.SiGe/Si量子阱材料在1.3μm石......
低成本、小型轻质化和集成化无疑是光学陀螺的发展趋势,集成光波导陀螺就是在这种背景下提出来的.限于现有技术水平,目前该领域的......
引入N原子周围In原子数r自建模型,研究退火对GaInNAs/GaAs量子阱能带结构和应变效应的影响,计算退火前后量子阱的光增益谱,讨论了......
期刊
GeSn 合金作为如今硅基光电集成领域的热点发光材料,但其由于发光效率的问题以及难以形成高质量的单晶,对于材料生长和器件应......
研究了一种N型四能级原子结构中的近共振增益光栅(NRGG)效应.结果表明,当耦合场的失谐值为0,探测场和调制场的失谐值接近于0时,利......
采用测量multi-section单程增益放大自发发射方法研究了MOCVD方法生长的多层结构InGaAs/GaAs量子点光增益特性.随着注入电流的增大......
光纤激光器需要增益介质和谐振腔 (通常由两块端镜组成 )。光纤能掺入钕 (Nd)、铒(Er)或镱 (Yb) ,被光源 (例如激光二极管 )抽运时......
半导体激光器现已成为随处可见的一种激光器.光抽运和电激励半导体激光器被广泛用于从通讯、信息存储和处理到医学诊断和治疗等各......
由于该文所要介绍的静电感应光敏晶体管(SIPT)是一种新型固态光器件,它相当于多个PIN光敏二极管并联且自带一个线性好、增益高、频......
Ⅲ到Ⅴ族半导体化合物中，Ga1-xlnxNyAs1-y可通过调节N和In的组分，在GaAs衬底上晶格匹配地生长出Ga1-xlnxNyAs1-y/GaAs合金，并获得所需......
蓝-紫光GaN基激光器是迄今为止半导体激光器中波长最短的可见光激光器,是下一代高密度光存取(DVD)系统必不可少的核心光源.在国家8......
氮化镓(GaN)是目前研究最为广泛的宽禁带半导体，是近年来蓝紫光半导体激光器研究中最重要的材料之一。围绕半导体材料的一些关键参......
作为具有重要应用前景的第三代半导体，III族氮化物半导体材料在过去的20年中始终是学术界和产业界研究和开发的热点。目前，基于III族......
采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
借助光子晶体中二能级原子的自发辐射理论证明缺陷态的局域场存在的必然性以及局域场基本性质,为研究光子晶体光纤掺杂自发辐射的......
为了深入研究量子点半导体光放大器(QD-SOA)的特性,建立了量子点半导体光放大器子带导带的三能级系统模型。把系统载流子的速率方......
期刊
研究了Ce:KNSBN晶体在不同温度下，用He-Ne激光进行光折变两波耦合特性，测量了信号增益随总入射光强的变化关系，用中间段光折变理论对......
采用射频放电是全反射棱镜式激光陀螺（TRPLG）的独特之处。文中从高频电磁场内电子的运动学性质出发,得出射频频率的变化对谐振腔增益......
借助光子晶体中二能级原子的自发辐射理论证明缺陷态的局域场存在的必然性以及局域场基本性质，为研究光子晶体光纤掺杂自发辐射的内......
针对传统的弱场光增益相干控制方案中控制参数单一且难以实现精确控制的现状，提出了一种在简并二能级原子体系中利用延时实现弱光增......
利用速率方程模型,通过求稳态解,比较了1480、980、820nm3种波长泵浦时的掺Er3+Al2O3平面光波导放大器的增益与泵浦功率和掺铒浓度......
采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs......
英特尔日前声称开发出全球首枚全硅激光芯片。该公司的开发小组通过采用受激拉曼散射(stimulated Raman scattering)，排除了通常会......
通过光场传输方程和电子跃迁速率方程，采用细化分段方法，解常微分方程组的四阶龙格一库塔法和求解非线性方程组的牛顿法，建立了针对动......
为探索锗激光器的性能优化方案,建立了基于双轴张应变的双异质结法布里-珀罗电激励式边缘发射锗激光器模型.通过该模型讨论了双轴......
计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系。根据Ｂ－Ｄ条件：ΔＦ〉ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｅｌ＋Ｅｖｌ，得到了ΔＦ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃｌ＋Ｅｖｌ与载流子密度的关系，并得到不......
研究了InGaAs量子点材料自发发射、放大自发发射及光增益特性。实验发现InGaAs量子点材料随着注入电流密度的增加，基自发发射及放大......
采用变条长方法实验测量了GaN基短波长激光器样品的放大自发发射谱,确定了样品的光增益和光损失系数,并发现了样品中存在着严重的......
分析了象增经高速电影摄影的光增益与及其影响的主要因素，同时讨论了光增益对工程探测的贡献，给出了其近似的数学表达式。......
研究了采用离子交换和电场辅助退火法制作的铒镱共掺磷酸盐波导放大器的增益特性，测量了Er2O3，Yb2O3掺杂浓度分别为2．2wt％和4．7wt％，长度为......
低噪声高信噪比的光电探测器已广泛应用于通信、遥感、天文观测、医学成像、国土安全、无损检测等弱光信号检测领域。其中异质结光......
