位移损伤效应相关论文
文章梳理了面向航天器总体设计的空间辐射效应分析技术现状，重点归纳了航天器空间辐射效应分析中需关注的总剂量效应、位移损伤效应......
为了探究850 nm垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL）在空间辐射环境中的退化规律与机理，开展了3 MeV......
针对空间环境中高能质子辐射导致电荷耦合器件(CCD)性能退化评估问题,开展能量高于60 MeV的质子辐照试验,考察了 CCD的重要性能参......
针对始终处于加电状态工作模式的半导体激光器,通过分析单个粒子对器件的辐射过程,将空间辐射效应离散的描述为所有单粒子造成辐射......
随着航天器空间飞行任务需求的不断提高,航天器能耗也不断增加,所以空间太阳电池需要具有更高的光电转换效率和更长的寿命。目前,......
本文以不同钝化和氧化工艺LPNP双极晶体管为研究对象,采用60Co-γ射线、30Me V Si离子和1 Me V电子进行辐照试验。通过对晶体管电......
质子辐照电子元器件可同时导致总剂量效应与位移损伤.针对某国产CCD器件,进行了3MeV和10MeV质子辐照和退火实验,试验过程中重点考......
选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1MeV高能电子及Co60γ辐照试验，获得了1MeV电子及CoH60 γ辐照后光电耦合器4n25 CTR参数的退......
利用质子、中子和伽马射线辐照空间激光通信系统拟选用的高速InGaAs-PIN光电二极管,对其辐射损伤效应开展研究,以评估PIN光电器件......
为了降低辐射对操作设备所产生的危害,在寿命周期内满足规定的连续性和可用性等可靠性指标要求。综合考虑设备所处位置的辐射特性,......
利用质子、中子和伽马射线辐照空间激光通信系统拟选用的高速InGaAs-PIN光电二极管,对其辐射损伤效应开展研究,以评估PIN光电器件......
针对DC/DC 的质子位移效应,选取具有抗TID 能力的DC/D C 器件作为试验样品,在3 MeV 质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量.......
对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1 MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15 cm^-2 的中子辐......
介绍了材料位移损伤效应研究中的多尺度数值模拟方法,包括第一性原理、分子动力学和动力学蒙特卡罗方法,举例说明了3种方法的作用......
飞速发展的航天技术需要兼具高可靠性和高性能的集成电路。纳米CMOS集成电路在带来高性能的同时,也带来了可靠性方面的挑战。质子......
空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素,必须在地面利用模拟试验方法评价航天器在轨抗辐射性能。但由于地面模拟试......
空间辐射环境是影响COTS(Commercial-off-the-shelf)器件的主要空间环境要素之一。通过分析空间辐射环境的主要来源,研究了空间辐......
对位移损伤敏感器件CCD及CMOS图像传感器进行了3,10,23MeV质子辐照试验,获得了电荷转移效率及暗电流退化程度分别随非电离能量损失......
GaN功率开关器件因为其耐高温、耐高压、高功率容量和高频的特点在未来商用和军用市场有着巨大的应用潜力。增强型技术是当前研究G......
依据空间辐射环境的分布特性及具体空间辐射效应的特征判据,设计出多功能、模块化的航天器空间环境危害监测样机。该样机可针对不......
不同种类光电耦合器件(光耦)结构工艺对空间总剂量辐射的敏感性存在较大差异,故对其在航天器的使用应区别对待。文章分别对组成常......
