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通过物理气相传输( PVT) 工艺,成功生长出直径大于3 英寸的掺钒半绝缘4H-SiC 单晶.切割后的晶片在背景氩气压力为800mbar、温度1600～2000℃的条件下进行退火处理.
退火对掺钒半绝缘4H-SiC晶片的影响
【摘 要】
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通过物理气相传输( PVT) 工艺,成功生长出直径大于3 英寸的掺钒半绝缘4H-SiC 单晶.切割后的晶片在背景氩气压力为800mbar、温度1600～2000℃的条件下进行退火处理.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二研究所 山西 太原 030024
【出 处】
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第十六届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2012年期
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