【摘 要】
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本文运用宾夕法尼亚大学开发的AMPS 软件，模拟了采用不同晶化度的nc-Si作P-I-N结构太阳电池的I层的性能；研究了不同I层厚度的情况下电池的Jsc, Voc, FF, Eff的变化。模拟结果说明，晶化度为42.78％的纳米硅作I层，得到了23.986﹪的转换效率；当I 层厚度在500nm 的时，太阳电池光电效率Eff有最大值。
【机 构】
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上海交通大学物理系太阳能研究所,上海,200240 江苏威孚纳米科技发展有限公司,无锡,21402
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本文运用宾夕法尼亚大学开发的AMPS 软件，模拟了采用不同晶化度的nc-Si作P-I-N结构太阳电池的I层的性能；研究了不同I层厚度的情况下电池的Jsc, Voc, FF, Eff的变化。模拟结果说明，晶化度为42.78％的纳米硅作I层，得到了23.986﹪的转换效率；当I 层厚度在500nm 的时，太阳电池光电效率Eff有最大值。
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