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众所周知,由于HgCdTe材料具有高吸收系数、高量子效率、波段可调等优点,已成为制作红外光电探测器以及新一代红外焦平面器件发展的优选材料.然而,常规结构的HgCdTe材料都面临着P型掺杂的问题.不管是Hg空位掺杂还是As掺杂,由于其各自的局限性大大的限制了HgCdTe器件的发展.
分子束外延生长的HgCdTe NBN结构的理论计算和优化研究
【摘 要】
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众所周知,由于HgCdTe材料具有高吸收系数、高量子效率、波段可调等优点,已成为制作红外光电探测器以及新一代红外焦平面器件发展的优选材料.然而,常规结构的HgCdTe材料都面临
【机 构】
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中科院上海技术物理研究所,国防创新实验室,上海,2015
【出 处】
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第十一届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2015年8期
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