【摘 要】
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本文介绍了一种新型薄膜太阳电池Al/CN肖特基氮化碳薄膜太阳电池,采用离子束溅射,石墨靶,沉积氮化碳薄膜.用ITO为衬底的ITO/CN/Al结构,在100mW/cm光照下,开路电压达200mV.短路电流达1.57μA/cm.文章中,给出了该原形器件可能的能带结构模型.
【机 构】
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上海交通大学,物理系太阳能研究所(上海)
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本文介绍了一种新型薄膜太阳电池Al/CN<,x>肖特基氮化碳薄膜太阳电池,采用离子束溅射,石墨靶,沉积氮化碳薄膜.用ITO为衬底的ITO/CN<,x>/Al结构,在100mW/cm<2>光照下,开路电压达200mV.短路电流达1.57μA/cm<2>.文章中,给出了该原形器件可能的能带结构模型.
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在制备硫化镉薄膜的过程中,为了减少CBD法中胶体颗粒,我们改进了CBD法的装置,使用了超声搅拌.制备了硫化镉薄膜,并对它进行了退火处理,分析了它的XPS.发现超声波震荡有利于改善薄膜的性能和控制成膜条件.同时还观察到经退火后薄膜的窗口效应得到了增强,由于硫化镉薄膜发生了释氧反应,硫化镉薄膜由含多种氧化物相向较单一的多晶硫化镉相转化,因此退火有利于改善薄膜的性能.
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本实验利用电沉积的方法制备CuS薄膜.研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuS薄膜性质的影响.研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的CuS其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的CuS其主要晶面是(842).当用NaSO作为硫源的时候得到的是单斜的CuS其主要界面是(842),当用硫脲作为硫
多晶CuInSe或称Cu(In,Ga)Se(简称CIS或CIGS)材料在薄膜太阳电池中具有重要的应用.CIS/CIGS的制备方法很多,各种制备方法的薄膜,其形成机理与不相同,本文试图讨论几种不同的制备方法下,薄膜的形成机理.
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