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AlXGa1-xN/GaN异质结二维电子气的自旋输运特性是当前自旋电子学的一个研究热点。因为有理论预测基于GaN基的稀磁半导体的居里温度高于室温，这使得制备室温自旋器件成为可能。另外，GaN基稀磁半导体是自旋注入的理想材料，因为，GaN基稀磁半导体与ALGaN/GaN异质结的晶格很好匹配。
光照对AlxGal-xN/GaN异质结二维电子气系统中拍频效应和WAL效应的影晌
【摘 要】
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AlXGa1-xN/GaN异质结二维电子气的自旋输运特性是当前自旋电子学的一个研究热点。因为有理论预测基于GaN基的稀磁半导体的居里温度高于室温，这使得制备室温自旋器件成为可能。
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所 上海 200083 广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004 华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室 上海 200062
【出 处】
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第十七届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2009年期
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