稀磁半导体相关论文
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,分别计算了Si空位、单个Al、Al与Si空位共掺杂3C-Si C的电子结构和磁性。结果表......
稀磁半导体既拥有磁学性质又拥有半导体特性,同时利用电子的两个自由度即电子自旋和电荷,在此基础上发展了结合磁学和微电子学的两......
稀磁半导体（diluted magnetic semiconductor,DMS）是把电子的电荷自由度和自旋自由度集于同一基体,使其同时具备半导体材料和磁性材......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度3.37eV,激子束缚能高达60meV,物理性能优异。而且,ZnO的原材料来源广泛,价格......
由于ZnO宽禁带半导体在发光二极管,激光二极管以及稀磁半导体器件领域有着广泛的应用前景,近年来备受关注成为研究热点。本论文针......
自旋电子学作为一门新兴的物理学学科领域,在半导体与磁性的结合方面奠定了较为成熟的理论基础。随着自旋电子学的广泛研究,发现诸......
稀磁半导体兼具自旋和电荷两种属性,可以制成相应的自旋电子学器件,在当今社会信息的传输、处理和数据存储等方面有着广泛的应用前......
自从著名物理学家、诺贝尔奖获得者理查德·费因曼在1959年提出“纳米科学与技术”以来,人们对于物质世界的研究逐渐由宏观走向微......
离子注入作为一种独特的材料改性技术手段被广泛应用于当今的工业生产和科学研究领域,根据各种不同目的所进行的元素掺杂和注入处......
应用脉冲激光沉积法(PLD)制备ZnO基稀磁半导体薄膜,主要研究各试验条件对薄膜结晶效果的影响,通过正交试验确定最佳试验条件为:衬......
稀磁半导体是将过渡金属元素掺杂到非磁性半导体中而形成的磁性半导体材料。由于同时拥有电子电荷和电子自旋两种自由度,稀磁半导......
ZnO是一种物化性质稳定、价格低廉、安全可靠的半导体材料,具有理想的禁带宽度和激子结合能。因而在自旋电子学和光催化等领域极具......
作为反物质世界的一颗璀璨明珠,正电子（电子的反粒子）,因其对电子异常灵敏的特性而被用于研究材料的微观结构。在Anderson发现正电子......
近年来,稀磁半导体因其在自旋电子器件领域中的广泛应用而受到关注。新型稀磁半导体突破了传统稀磁半导体自旋和电荷“捆绑”效应......
新型稀磁半导体作为一种非常重要的功能材料具有广泛的应用前景,它克服了传统稀磁半导体电荷和自旋“捆绑”的特点,可以实现对电荷......
基于稀磁半导体（DMS）材料在自旋电子学器件中的应用预期,它的磁学和光学性质在凝聚态物理和材料科学领域都受到了广泛的关注和深入研......
稀磁半导体（Diluted Magnetic Semiconductors,DMSs）,一般指掺入过渡金属元素或稀土金属元素而构成的一类新型半导体材料。氧化锌（ZnO......
电荷与自旋掺杂的“捆绑”是传统稀磁半导体（Diluted Magnetic Semiconductor,DMS）的固有缺陷。为了克服这一难题,本论文研制了一系......
稀磁半导体同时利用电子的电荷与自旋属性，一般是通过过渡金属掺杂半导体而得到。SiC在高能、高频、高温电子器件上有相对成熟的发......
本文主要研究了MOCVD生长GaMnN单层结构和GaN/GaMnN多层结构的磁学性质。两种结构的样品在室温下均显示铁磁性。更重要的是,同相同......
GaN基稀磁半导体有望应用于未来的自旋电子器件领域,近年来得到各国学者的广泛关注。实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD......
利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.......
利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜,双晶X-射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格......
我们研究了稀磁半导体二维电子气在垂直电场和磁场下的磁输运.由于导带电子与Mn的3d电子间的s-d交换作用,不同自旋的Landau能级发......
采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型。p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb,并对样品进行了900℃的快速热退火处理。......
在二维半导体中的黑磷出现并成功应用之后,Zhang等以第一性原理预测了砷稀和锑烯是宽禁带间接带隙半导体。由于二维半导体大多都无......
我们合成了稀磁半导体材料(La1-xBax)(Zn1-xMnx)AsO(0 ≤ x ≤ 0.2),它的晶格结构和“1111”系列的铁基超导体相同,为ZrCuSiAs 结......
稀磁半导体(Diluted magnetic semiconductors,DMSs)因兼具磁性和半导体特性而引起广泛研究,预计应用于自旋电子器件、自旋-场效应......
ZnS是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,具有较高的红外透射率、荧光效应和电致发光功能等光电特性[1].采用液相法合成了具有室......
采用无水法合成了系列Til-x FexO2纳米粒子(x=0.01,0,02,0.03)。X-射线衍射,透射电镜证实制备的纳米粒子均为锐钛矿结构,平均尺寸......
利用固相反应法制备Zn0.9Co0.1O三维体材料,在不同的烧结温度下,应用单因素实验法对相同的配比成分样品进行处理,并对样品进行性能......
采用水热法,以CoCl2·6H2O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(XREDS......
ZnO稀磁半导体是目前最有希望集成到传统半导体中的一种新型材料,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体不仅可以大幅减小电子元器件的......
我们在N离子注入的ZnO薄膜中观察到了室温铁磁性，通过退火效应研究分析了其微观结构与磁性表现间的关联，表明样品中的铁磁性与Zn......
理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga, Mn)Sb及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性,近年来受到了特别关注.但是,由于(Ga,M......
AlXGa1-xN/GaN异质结二维电子气的自旋输运特性是当前自旋电子学的一个研究热点。因为有理论预测基于GaN基的稀磁半导体的居里温度......
Ⅳ族稀磁半导体由于与传统半导体材料的兼容性，引起了人们的广泛关注。据报导，实验上已有MnxGe1-x、Mnxsi1-x、FexGe1-x等稀磁半导体......
近年来，半导体自旋电子学得到了迅速发展，1996年，Ohno等通过低温分子束外延(MBE)的方法制备出稀磁半导体GaMnAs，这引发了人们对Mn掺入G......
随着稀磁半导体(DMS)研究的深入，在不掺杂磁性元素的氧化物中发现了室温铁磁性。其起源颇为复杂，尚不完全清楚。最近，Sundaresaa等人......
电子磁圆二色方法(Energy-loss Magnetic Chiral Dichroism,EMCD)基于X射线领域的X射线磁圆二色(XMCD)方法发展而来,在透射电镜中......
