【摘 要】
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用放电等离子体烧结技术（SPS）制备Si:Co靶，并用电子束蒸发技术制备了Si:Co稀磁半导体薄膜。薄膜分别在200 oC、300 oC、400 oC下退火10分钟，利用交变梯度磁强计分别测量退火前后各组样品的磁性，结果显示，在300 oC下退火的样品磁性最强，200 oC下退火的磁性次之，未退火的磁性最弱。实验中还对样品进行了XRD测量，结果表明样品为非晶态。实验说明，电子束蒸发是制备硅基稀磁半
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072 武汉大学动力与机械学院,武汉,430072
【出 处】
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第二届全国核技术及应用研究学术研讨会
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用放电等离子体烧结技术（SPS）制备Si:Co靶，并用电子束蒸发技术制备了Si:Co稀磁半导体薄膜。薄膜分别在200 oC、300 oC、400 oC下退火10分钟，利用交变梯度磁强计分别测量退火前后各组样品的磁性，结果显示，在300 oC下退火的样品磁性最强，200 oC下退火的磁性次之，未退火的磁性最弱。实验中还对样品进行了XRD测量，结果表明样品为非晶态。实验说明，电子束蒸发是制备硅基稀磁半导体的有效方法。
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