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用放电等离子体烧结技术（SPS）制备Si:Co靶，并用电子束蒸发技术制备了Si:Co稀磁半导体薄膜。薄膜分别在200 oC、300 oC、400 oC下退火1......
用200KvMn离子注入p型Si（001）单晶，在1×1015～5×1016Mn+/cm2注入剂量范围内都观测到磁滞回线，表明样品有铁磁性存在。随着注入剂量的增......
本工作在武汉大学加速器实验室初步建立了我国首套多束离子辐照装置,并设计了一种适用于该装置的样品加热保温装置。另一方面,通过......
