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功率MOSFET在电源系统中的损耗分析
功率MOSFET在电源系统中的损耗分析
来源 :2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wwwzhaozhiqiang
【摘 要】
:
本文在实际应用的基础上,结合理论对MOSFET在电源系统中实际的损耗情况加以分析,详细的论述了在实际电源系统中,MOSFET的各主要损耗的构成部分,MOSFET的DATASHEET中各关键参
【作 者】
:
朱鹏
【机 构】
:
西安芯派电子科技有限公司,西安720075
【出 处】
:
2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
:
2013年7期
【关键词】
:
开关电源系统
场效应器件
损耗分析
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本文在实际应用的基础上,结合理论对MOSFET在电源系统中实际的损耗情况加以分析,详细的论述了在实际电源系统中,MOSFET的各主要损耗的构成部分,MOSFET的DATASHEET中各关键参数在系统中如何参与系统中的实际损耗情况,损耗比例是如何分配.
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