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采用CVD方法,以金属镓和氨气为原料,在Si(111)衬底上成功制备了GaN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了成分和形貌分析。结果表明,制备的GaN薄膜为六方纤锌矿结构薄膜.
Si衬底上CVD法合成GaN薄膜
【摘 要】
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采用CVD方法,以金属镓和氨气为原料,在Si(111)衬底上成功制备了GaN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行
【机 构】
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太原理工大学材料科学与工程学院,山西,太原,030024
【出 处】
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第六届中国纳米科技西安研讨会
【发表日期】
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2007年期
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