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该文对比了加固ＭＯＳＦＥＴ在不同偏置条件下的总剂量辐照响应特性和退火特性，特别是对辐照偏置和退火偏置对器件电离辐射损伤的相互作用关系进行了试验研究和分析，取得了有价值的研究结果和结论。
不同偏置下的MOSFET的电离辐射响应与时间退火效应
【摘 要】
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该文对比了加固ＭＯＳＦＥＴ在不同偏置条件下的总剂量辐照响应特性和退火特性，特别是对辐照偏置和退火偏置对器件电离辐射损伤的相互作用关系进行了试验研究和分析，取得了有价值的研究结果
【机 构】
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科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
【出 处】
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第七届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
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1997年期
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