【摘 要】
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本文讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征手段表明:随O2流量增加ZnO薄膜生长速率先提高后降低,碳杂质有所减少,晶体质量先提高后降低。PL显示随O2流量增大带内深能级发光带强度逐少增强,带边发光峰强度也有较大变化。薄膜光学质量先提高后退化。霍
【机 构】
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南京大学物理系和南京微结构国家重点实验室,南京 210093
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征手段表明:随O2流量增加ZnO薄膜生长速率先提高后降低,碳杂质有所减少,晶体质量先提高后降低。PL显示随O2流量增大带内深能级发光带强度逐少增强,带边发光峰强度也有较大变化。薄膜光学质量先提高后退化。霍尔测最表明随氧流量增大,薄膜电阻率逐渐增加。实验表明不同氧流量对MOCVD生长的ZnO薄膜多种性质都有规律性影响。
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