金属有机化学气相沉积相关论文
二维过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides, TMDs)是继石墨烯之后新型的二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半......
基于Ⅲ族氮化物材料的深紫外发光二极管(LED)具有体积小、低功耗、寿命长、波长可调和环境友好等优点,有望代替传统的紫外汞灯光源,......
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在600℃下在蓝宝石衬底上外延生长了GaN薄膜,研究了热氧化温度对GaN薄膜的微观结构和光学特性......
期刊
在硅(Si)上外延生长高质量的砷化镓(GaAs)薄膜是实现硅基光源单片集成的关键因素.但是,Si材料与GaAs材料之间较大的晶格失配、热失......
期刊
硅(Si)基光电子技术可以将光子技术的高带宽、低功耗、高速率优点和微电子成熟的加工技术相结合实现光电集成,它具有低成本、高集成......
羰基钨(钼)络合物是重要的有机金属化合物,在国防、电子、化学化工等领域有着广泛的应用.本文综述了目前国内外已有的羰基钨(钼)络合物......
采用金属有机化学气相沉积技术在半绝缘InP衬底上制备了ZnO薄膜。在富氧及高温的生长条件下,衬底中的P原子通过热扩散进入ZnO薄膜......
近年来,GaN基相关材料的量子点生长成为半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相......
会议
在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/G......
会议
采用原位光辐照的MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜。SEM表面照片表明,随着光辐照强度的增加,ZnO纳米柱的横向尺寸变大。从......
采用光辅助金属有机化合物气相沉积方法在c面蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜。实验结果表明光辅助的引入对ZnO薄膜的特性具有很大的影响......
用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,制备了Au/MgO/ZnO/MgO/ITO以及Au/MgO/ZnO/ITO两种基于MOS结构的发光器件。两种器件的伏安特......
以金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器沉积GaN为对象,建立了反应器内部数学模型.通过应用GAMBIT软件划分复杂模型的基础上,对新颖......
会议
我们采用自行设计的等离子体增强MOCVD系统,利用经特殊设计的反应室,以二乙基锌(DEZn)和O2作为锌源和氧源,分别通过几种途径,获得......
会议
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长MgZnO合金薄膜.c轴取向的MgZnO薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线......
本文研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长氧化锌薄膜过程中锌源温度对薄膜生长和质量的影响.使用X射线衍射谱(XRD)、室温光荧......
我们在不同的温度下在c面蓝宝石衬底上生长了氧化锌的缓冲层,并在此基础上继续生长出了高质量的氧化锌薄膜.X射线衍射(XRD)显示,缓......
会议
羰基金属配合物作为一种MOCVD前驱体,除毒性较大外,其优点十分突出:沉积温度低,沉积速度快,沉积膜纯度高,膜层致密,膜表面的光洁度好,设备......
本文采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、......
会议
本文报告采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备InAs/InGaAsP/InP量子点激光器的研究。通过生长条件的优化获得了高质量量子点材......
本文通过结合透射电子显微镜,高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜等表征检测手段,对于在蓝宝石衬底上,采用高温AlN成核层MOCVD异质......
会议
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显......
会议
使用MOCVD在蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂的高阻GaN薄膜。分别研究了GaN外延层生长的反应室压力和Ga源流量对电阻率和晶体质量的......
会议
工程中现有的MOCVD反应器一般是工作在层流状态,但随着反应器内部压力的提高和晶片尺寸的加大,反应器内部的流动将会转捩为湍流。本......
会议
采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备负载于玻璃基片上的TiO2薄膜,研究沉积温度、沉积时间等沉积条件对其制备的影响,并以Ag(Ac......
会议
A-plane GaN films are deposited on (302) \gamma-LiAlO2 substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Th......
InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时,垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVC......
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压......
吸热型碳氢燃料在高温吸热裂解反应过程中,不可避免地在油道表面产生大量积碳,因而材料表面的涂层化处理是一种有效解决方案.......
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备双面YBa2Cu3O7-δ(YBCO)高温超导带材,将Y(DPM)3、Ba(DPM)2和Cu(DPM)2源按配比混合,由氩气与......
会议
系统的研究被执行了动态建模在低压力调查流动和垂直旋转托马斯天鹅 MOCVD 反应堆的热模式,用 2-D。由改变并且计算反应堆的几个重......
Nonpolar a-plane (110) GaN films have been grown on r-plane (102) sapphire by metal-organic chemical vapor depositio......
针对高温超导带材研究的低成本高性能发展趋势,本研究以H-276合金基带为基底,采用溶液涂覆表面平整化获得nm级平整度的非晶表......
本文通过在前驱液中添加5%Zr,采用金属有机气相沉积(MOCVD)方法在有IBAD-MgO/LaMnO过渡层的哈氏合金基带上沉积多层有Zr掺杂的G......
GaN材料具有宽禁带,高熔点,高电子迁移率,高击穿场强以及高热导率等优越特性,广泛应用于发光器件(LED)、太阳能电池、高电子迁移率......
学位
工作于日盲紫外波段的光电探测器,在导弹逼近告警、超高压与特高压输电线路漏电电晕探测等国防和民用领域有着重要的应用前景和市......
利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究.针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,......
使用金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)方法生长了三个具有不同垒层温度的InGaN/GaN量子阱。......
高质量的叠层结构量子点有源区材料是制作高性能量子点激光器的关键。本文报告采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备高质量InA......
在蓝宝石基板上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长GaN基多量子阱外延层,利用电感耦合等离子体刻蚀和金属桥接技术,在薄膜芯片工......
本文首先利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在GaN/sapphire模板上生长具有不同厚度低温AlN插入层的AlxGa1-xN外延层。然后采......
本实验采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP 衬底上制备In0.82Ga0.18As 材料。研究缓冲层厚度对In0.82Ga......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上生长InGaAs材料。采用两步生长法制备InGaAs材料,研究低温生长的缓冲层I......
以热氧化的p型硅(SiO2/Si)为衬底,运用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术以铪基金属有机源和高纯氨为反应气体在其上淀积HfNx薄膜样......
采用传统的陶瓷工艺和新颖的金属有机化学气相沉积方法制备掺Gd和Nd的BaCeO〈,3〉质子导体,并采用复阻抗谱技术和XRD法测量不同退火气氛的电导率变......
近年来,高亮度的蓝光和绿光发光二极管(LED),高频场效应晶体管,紫外和蓝光激光二极管已经在很短的时间内成功开发,这些成就离不开Ⅲ族......
光子集成技术是光纤通信最前沿、最有前途的领域,它是满足未来网络带宽需求的最好办法。光子集成芯片与传统的分立OEO(光电光)处理......
本论文主要进行GaN基蓝紫光激光器材料生长、器件结构与工艺以及激光器光学电学性质的研究,包括以下内容:
1.制备了增益波导GaN......