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为了提高Gan 阴极的紫外探测效率,提出了一种由体内到表面掺杂浓度由高到低的变掺杂Gan 阴极材料结构,并采用超高真空(Cs,O)激活工艺进行了阴极制备。与传统具有均匀掺杂结构的Gan 阴极相比,这种变掺杂结构的阴极在反射工作模式下具有更高的量子效率(量子效率平均提高了30％)和更好的长波紫外响应特性(长波响应提高了43％)。通过比较变掺杂与均匀掺杂阴极在能带结构、光电子体内输运效率、光电子表面发射效率等特性上的差异,对变掺杂Gan 光电阴极获得更高量子效率的机理进行了分析。