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该文设计了Si(111)衬底表面金刚石薄膜成核与生长中可能的反应途径,采用量子化学半经验分子轨道方法计算了该途径中各步反应的能量变化及势垒。结果表明成核期Si基表面的脱氢势垒与生长期C基表面的脱氢势垒相差不多,而成核期Si基表面加甲基的反应势垒明显高于生长期C基表面加甲基的反应垫垒。计算结果能够很好的解释汽相沉积法制备金刚石的过程中,成核期与生长期中CH〈,4〉相对含量变化的实验结果。