论文部分内容阅读
用热丝增强射频等离子体ＣＶＤ法，在Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ人工合成金刚石薄膜和不锈钢等多种衬底材料上，生长出立方氮化硼薄膜。用Ｘ射线衍射谱和傅立叶转换红外谱对样品的结构和成份进行了分析；并用扫描电镜观察它们的形貌特征；研究了衬底材料对立方氮化硼薄膜生长特性的影响响。
不同衬底材料对立方氮化硼薄膜生长的影响
【摘 要】
：
用热丝增强射频等离子体ＣＶＤ法，在Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ人工合成金刚石薄膜和不锈钢等多种衬底材料上，生长出立方氮化硼薄膜。用Ｘ射线衍射谱和傅立叶转换红外谱对样品的结构和成份进行了分析；并
【机 构】
：
工业大学应用物理系
【出 处】
：
'96中国材料研讨会
【发表日期】
：
1996年期
其他文献
测量了用射频溅射法制备的立方氮化硼薄膜的紫外－可见光透射和反射谱，计算了氮化硼薄膜的光吸收系数和折射率，进而利用Ｔａｕｃ公式及Ｓｔｅｒｎ公式得到了薄膜的光学带隙。结果表明随氮化硼薄膜中
自１９５７年美国Ｇ．Ｅ．Ｃｏ的Ｒ．Ｈ．Ｗｅｎｔｏｒｆ试制成功立方氮化硼（ＣＢＮ）以来，在合技术、机理研究、产品系列化及应用开发等方面均取得较大进展。
9月2日,科举制度废除整整100年.今天的人们,到底该怎样认识和解读科举,记者特意走访了长期从事科举研究的中国第一历史档案馆编研部主任李国荣研究员.
本文利用感应耦合成式等离子体化学气相沉积(PECVD)在Si(100)衬底上制备BN薄膜.反应气体为硼烷(BH)和氮气(N),控制一定的分压比和工作气压,射频功率为100W,衬底温度在500℃到