【摘 要】
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工程中现有的MOCVD反应器一般是工作在层流状态，但随着反应器内部压力的提高和晶片尺寸的加大，反应器内部的流动将会转捩为湍流。本文以垂直式冷壁反应器为例，采用大涡模拟(LES)的方法对其内部的流场和温度场在不同Rayleigh数、基片旋转速度及反应器几何尺度下进行了模拟和分析。发现由热对流引发的湍流增强了传热，而且由于湍流的混合作用，在一定的基片旋转速度及几何优化条件下反应器内部很大区域内的传热率
【机 构】
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江苏大学能源与动力工程学院,江苏镇江212013
【出 处】
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江苏省工程热物理学会第五届学术会议
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工程中现有的MOCVD反应器一般是工作在层流状态，但随着反应器内部压力的提高和晶片尺寸的加大，反应器内部的流动将会转捩为湍流。本文以垂直式冷壁反应器为例，采用大涡模拟(LES)的方法对其内部的流场和温度场在不同Rayleigh数、基片旋转速度及反应器几何尺度下进行了模拟和分析。发现由热对流引发的湍流增强了传热，而且由于湍流的混合作用，在一定的基片旋转速度及几何优化条件下反应器内部很大区域内的传热率较为一致，说明了湍流型MOCVD反应器有实现高速、均匀沉积速率的可能。
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