【摘 要】
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本研究制备了一种水溶性CdTe 量子点,将其修饰在交替离子层吸附生长法(SILAR)制备的CdS：Mn/TiO2/FTO 电极上后,会引起CdS：Mn/TiO2/FTO 光电流急剧下降,猝灭程度达90％。经理论计算及实验证明,CdTe 量子点与CdS：Mn/TiO2 能级匹配良好,电子可以顺利传递至电极表面,理论上并不会导致光电流降低,并且该猝灭作用也不是由界面电阻增大引起。
【机 构】
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大连理工大学化学学院,辽宁省大连市凌工路2号,116023
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本研究制备了一种水溶性CdTe 量子点,将其修饰在交替离子层吸附生长法(SILAR)制备的CdS：Mn/TiO2/FTO 电极上后,会引起CdS：Mn/TiO2/FTO 光电流急剧下降,猝灭程度达90％。经理论计算及实验证明,CdTe 量子点与CdS：Mn/TiO2 能级匹配良好,电子可以顺利传递至电极表面,理论上并不会导致光电流降低,并且该猝灭作用也不是由界面电阻增大引起。
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