【摘 要】
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本文采用直流磁控反应溅射法在NI-W5％基带上制备CeO2/YSZ/CeO2(CYC)与Y2O3/YSz/CeO2(YYC)高温超导过渡层薄膜.研究表明,传统的CeO2过渡层易于制备单一c轴取向的薄膜,工艺窗口
【机 构】
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电子薄膜与集成器件国家重点实验室 电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054
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本文采用直流磁控反应溅射法在NI-W5％基带上制备CeO2/YSZ/CeO2(CYC)与Y2O3/YSz/CeO2(YYC)高温超导过渡层薄膜.研究表明,传统的CeO2过渡层易于制备单一c轴取向的薄膜,工艺窗口较宽,而制备Y2O3完全c轴取向薄膜的工艺窗口较窄,但表面形貌较CeO2致密平整,其在发挥种子层作用的同时,对基带金属原子的扩散也起到了阻挡作用。通过直流溅射法在CYC和YYC上制备YBCO超导层,所获得的单面最高Jc分别为0.75MA/cm2和1.3MA/cm2,双面最高Jc分别为0.55 MA/cm2和1.0 MA/cm2.
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