紫外激光直写光刻系统的研制

来源 :2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:eddiechen3
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  本直写光刻系统主要针对国内在大型紫外激光直写装备与技术方面的缺失,同时考虑到大量的掩膜版制造、直写光刻、3D光刻需求,且目前商业设备无法完全满足科研的需求,价格昂贵.本系统采用目前最先进的SLM(空间光调制)技术,配合大功率351 nm DPSSL(半导体泵浦固态激光器)作为光源,同时创造性的加入干涉光刻功能构架,可实现0.5μm任意图形,以及0.14 μm干涉周期图形,并且具有256阶光刻灰度,实现3D光刻.为世界首台同时具有SLM闪频平铺曝光与干涉曝光的激光直接光刻设备.
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