纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中界面声子模对极化子能量的影响

来源 :中国物理学会2011年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pkutraining

【摘要】

：

本文采用Lee-Low-Pines (LLP) 变分法研究了纤锌矿GaN/ AlxGa1-xN 量子阱中的极化子能量和电子-声子相互作用对极化子能量的影响.理论计算中考虑了定域体声子模(confined phonon modes)和界面声子模(interface phonon modes)的作用,同时考虑了它们的各向异性.

【作者】

：

苏日古嘎赵凤岐王肖科阿荣高娃

【机构】

：

内蒙古师范大学物理与电子信息学院,呼和浩特,010022

【出处】

：

中国物理学会2011年秋季学术会议

【发表日期】

：

2011年9期

【关键词】

：

纤锌矿电子-声子相互作用极化子能量

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

超薄Au膜光学常数及厚度的椭偏法测量

当薄膜厚度远小于光学波长时,由于薄膜的表面效应,薄膜的光学常数不仅具有波长色散关系,而且随薄膜厚度改变.对于不同厚度的薄膜,同一波长也会具有不同光学常数.

会议

薄膜光学常数椭偏测量厚度

Ni(111)表面Graphene的结构及5-8晶界生长研究

Graphene存在着各种类型的缺陷[1-4],实验观测到Ni(111)表面的Graphene产生5-8线性拓扑缺陷结构的晶界,并且晶界表现出金属线的特性[5].我们采用分子动力学模拟方法研究了Graphene在Ni(111)表面的生长行为,Graphene在Ni(111)表面表现出Top-Hcp、Top-Fcc和Hcp-Fcc三种典型原子占位结构,其结构稳定性以Top-Fcc最好,Top-Fcc

会议

Graphene表面生长拓扑缺陷晶界

Short-chain Alkanethiol Molecular adsorbed on Au(111) at Low Temperature

Alkanethiol self-assembled monolayers (SAMs) have been attracted considerately attentions during last two decades due to its easy preparation and highly ordered 2D structure.Despite its simplicity and

会议

SAMsalkanethiolSTMlow temperature adsorptionAu-adatom-dithiolate

铅岛局域接触势的NC-AFM研究

会议

非接触原子力显微镜局域接触势铅岛

Strain induced topological phase transiton in Sb2Se3 and Bi2Se3 thin films

Bi2Se3-type materials are second generation topological insulators (TIs),featuring single Dirac cone at the Γ point[1-4].Sb2Se3 is of the same structure as Bi2Se3 but behaves as a normal insulator(NI)

会议

straintopological insulatorSb2Se3Bi2Se3

CeO2催化剂的硫化和硫中毒机理研究

会议

Graphyne-and Graphdiyne-based Nanoribbons: Density Functional Theory Calculations of Electronic Stru

We report on the configurations and electronic properties of graphyne and graphdiyne nanoribbons with armchair and zigzag edges investigated with first principles calculations.Our results show that al

会议

Atomic control of Kondo effect

会议

Large-scale Production of Ultrathin Topological Insulator Bismuth Telluride Nanosheets by Intercalat

Nanoscale topological insulator materials have a large surface-to-volume ratio that can manifest the conductive surface states and are promising candidates for devices.[1] As a single Dirac-cone topol

会议

Topological insulatorbismuth telluridenanosheetsLi intercalationexfoliation

表面等离激元与原子的耦合与其传输性质

这里我们用第一性原理计算(含时密度泛函理论)对表面等离激元和原子的耦合与其传输性质做了研究.体系是由两个大金属球(均匀电子气)和位于其间隙中的Na 原子组成.随着两球的距离改变,其耦合发生改变,通过其吸收谱和光电导也会随之改变.

会议

纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中界面声子模对极化子能量的影响

与本文相关的学术论文