纤锌矿相关论文
本文采用Lee-Low-Pines (LLP) 变分法研究了纤锌矿GaN/ AlxGa1-xN 量子阱中的极化子能量和电子-声子相互作用对极化子能量的影响.......
Wurtzite ZnO 微范围，在直径并且与光滑的表面的 5.5 11 μ m，面对乙烯经由一个简单没有模板的方法在绝对乙醇被准备肼。产品用 X 光......
Based on the k.p theory of Luttinger-Kohn and Bir-Pikus,analytical E-k solutions for the valence band of strained wurtzi......
采用水热法制备了ZnO粉末和复合不同稀土离子的ZnO粉末,并通过X射线衍射谱(XRD)和扫描电镜(SEM)进行了结构和形貌表征,结果显示,Zn......
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,研究In掺杂对纤锌矿In_xGa_(1-x)N合金的晶格常数、能带结构、态密度和光......
采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,对纤锌矿和岩盐矿结构Be_(1-x)Mg_xO合金的晶格常数、能带特性和形成能进行计算,分析了不......
报道了分别用三带和全带模型蒙特卡罗方法模拟纤锌矿相 Ga N体材料输运特性的结果 ,并对基于两种模型的模拟结果进行了比较 .在低......
通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射......
基于介电连续模型与Loudon的单轴晶体模型,推导分析了纤锌矿准一维量子阱线中的准受限( QC)光学声子模及相应的电子-QC光学声子之......
画眉坳钨矿产于震旦系浅变质岩系中,属于外接触带岩浆期后气化高-中温热液脉钨矿床.主矿带为该矿床的主要工业矿体. 矿石中的主要......
如出现在很多教科书中的那样,冰被认为是一种有代表性氢键晶体,并以丰富多彩的多晶形著称。多数晶型可以在高压下获得。在常压下,......
提出了一种用于表征硒化镉(CdSe)性质、形式上类似于玻恩-迈耶模型的相互作用势,并用其研究了由压力引起的CdSe从四近邻的纤维锌矿......
采用第一性原理的平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO及不同量Cd掺杂ZnO的电子结构.计算结果表明,Cd的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度......
国际矿物学协会新矿物与矿物命名委员会公布过若干涉及矿物学命名原则的准则,其中包括多型的命名原则。多型的命名是以附加于矿物......
采用改进的Lee-Low-Pines变分方法研究纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱材料中磁极化子能级,给出纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中磁极化......
考虑应变,在有效质量、有限高势垒近似下,变分研究了纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随流体静压力、杂......
利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金在双轴应变下的......
用面间力常数模型计算了（０００１）方向纤锌矿结构ＧａＮ与ＡＩＮ的纵向振动特性．并利用该模型对（０００１）方向生长的六角结构的ＧａＮ／ＡＩＮ超晶格的纵向声子态进行了研究．着重讨......
利用密度泛函理论平面波的赝势方法,对Be、Ca掺杂纤锌矿ZnO的BexZn1-xO,CayZn1yO三元合金和BexCayZn1-xyO四元合金的晶格常数、能......
在有效质量近似下,研究了应变纤锌矿GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中基态与第一激发态波函数、能级和导带内的子带光吸收及其压力效应,......
通过控制硫化锌室温成核反应在油-水液-液界面处进行,并采用羟基端基自组装分子层修饰的聚合物膜作为柔性衬底,最终在衬底表面制得......
合金在ZnO光电子应用中取得的进一步发展是对我们目前工作的一个重要推动。尽管近来取得了一些成就，获得稳定的p型ZnO合金仍旧......
铜锌锡硫基（Cu2ZnSnS4-based）p型半导体材料由于其有与Cu（In,Ga）Se2类似的晶体结构且具有一系列优异的性能(例如:元素无毒且在地壳中储......
在多孔Si上使用不同催化剂成功生长ZnO纳米结构。结果表明,Au作催化剂在Si衬底上得到末端呈六角形的ZnO纳米棒,Cu作催化剂在Si(100......
运用水热法合成六方纤锌矿ZnO纳米棒,在ZnO纳米棒表面水热生长SnO,获得了表面疏松的ZnO/SnO复合纳米棒材料。运用X射线粉末衍射(XR......
在载玻片或ITO涂覆的玻璃上采用化学热解法沉积CdS固体薄膜 ,沉积温度在 35 0～ 5 4 0℃之间 .部分制备的CdS薄膜进行 2 0 0～ 6 0 0℃......
对采自Faulty Towers(47°57.447′N,129°6.568′W)硫化物烟囱群一个不再活动的烟囱体硫化物开展了详细的矿物学和地球化学研究。......
本文利用格林函数方法及A·Kobayashi等人的紧束缚哈密顿量,汁算了七种纤锌矿半导体的C_(3v)和C_(1k)理想双空位态在禁带中引入的......
以水合醋酸锌和水合肼为反应物，在不使用任何表面活性剂的条件下，采用一种简单温和的液相法制备了氧化锌纳米棒束。利用x射线衍射仪(......
GaN是一种宽禁带半导体材料,非常适合于制作从蓝光到近紫外波段的光电器件,它也是Ⅱ-V族含氮化合物中研究得最充分的材料,近年来在......
以六水硝酸锌[Zn(NO3)2·6H2O]为锌源,采用溶胶-凝胶法合成多晶氧化锌(ZnO)纳米粉,并通过不同的热处理温度退火来调整ZnO纳米粉的......
由于在高性能光电子器件中的应用价值,对AlN/AlxGa1-xN多层材料的物性研究引起人们的极大兴趣.本文选取该多层材料的基本结构之一,......
会议
在有效质量近似下，采用薛定谔方程和泊松方程自洽求解方法，计算电子-空穴气屏蔽下纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中电子和空穴的本征......
本文采用Lee-Low-Pines(LLP)变分法，研究了纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中自由极化子能量和电子-声子相互作用对极化子能量的影响......
为了反映准一维纤锌矿纳米线结构在径向与轴向上不同的受限物性以及纤锌矿晶体的各向异性,一个双参数变分法及LLP 变换法被用来考......
纤锌矿AlGaN/GaN 单异质结构是GaN 基高迁移率晶体管(HEMT)的基本结构,此类体系中的强自发极化和压电极化效应在界面处诱生的高浓......
ZnO由于具有良好的光学、电学和压电性能，在光电子器件方面具有潜在的应用价值，已受到广泛的关注和重视。本文介绍了ZnO纤锌矿的晶体......
在干净的导电玻璃(ITO)上，恒电流电沉积一层均匀的纤锌矿型Zn0纳米棒膜，纳米棒的直径大约为100nm，长度约为3μm；然后再在Zn0纳米棒膜的......
