【摘 要】
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In the popularization and application of infrared imaging detection technology, the uncooled infrared photon detection enables the high speed mid-IR detection at room temperature, which has potential
【机 构】
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Shaanxi Key Laboratory of Optical Information Technology, School of Science, Northwestern Polytechni
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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In the popularization and application of infrared imaging detection technology, the uncooled infrared photon detection enables the high speed mid-IR detection at room temperature, which has potential applications in many fields such as aviation, space detection, industry, etc.For the mid-IR (3-5μm) range, the infrared photosensitivity at room temperature can be achieved by polycrystallization in PbSe film.
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为了深入研究表面处理工艺对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响,本文在栅金属淀积前,分别采用1∶5和1∶10浓度的HCl溶液对样品表面进行了1 min的处理,并与未采用HCl处理的器件的直流特性进行了对比分析.测试结果表明:经1∶5和1∶10的HCl溶液处理后器件的最大饱和电流分别降低了27％和43％,跨导峰值分别降低了9％和48％,且1∶5的HCl处理后的样品阈值电压绝对值增大了1V.分析
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