【摘 要】
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武汉大学加速器联机系统于2008年初步建成,200kV离子注入机至透射电镜束线进行了运行调试,开展了气体离子注入单晶Si、GaAs、Ag纳米晶和超临界反应堆材料(C276和6XN)的原位结
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室,武汉430072TexasCenterforSuperconductivity,UniversityofHouston,TX,USAQuantum-Functi
【出 处】
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2010全国荷电粒子源、粒子束学术会议
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武汉大学加速器联机系统于2008年初步建成,200kV离子注入机至透射电镜束线进行了运行调试,开展了气体离子注入单晶Si、GaAs、Ag纳米晶和超临界反应堆材料(C276和6XN)的原位结构研究。结果表明,样品在注入至一定剂量时发生明显的多晶和非晶化,单晶Si出现非晶化的临界剂量在1014 cm-2。C276材料经1×1015cm-2的Ar离子辐照后,产生尺寸3-12nm的位错环,其密度随剂量的提高而增大,至5×1015cm-2出现多晶,剂量超过3×1016cm-2出现非晶化。
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