【摘 要】
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在详细分析GaN异质结构中自发极化和压电极化的基础上,本文利用Silvaco软件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,数值计算了GaN器件结构对2DEG影响。通过模拟计算,不仅研究了GaN
【机 构】
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单片集成电路与模块国家重点试验室,南京210016
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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在详细分析GaN异质结构中自发极化和压电极化的基础上,本文利用Silvaco软件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,数值计算了GaN器件结构对2DEG影响。通过模拟计算,不仅研究了GaN HEMT器件中势垒层Al组分比、势垒层厚度和掺杂浓度对2DEG的影响,而且还研究了AlN Spacer层对2DEG的影响；给出了GaN异质结构中2DEG分布、面密度、能带结构的变化关系。这将有助于GaN HEMT器件的结构设计。
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