【摘 要】
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本文介绍了目前功率器件终端保护结构的最新发展和自主研发的500V/18A、并带有ESD防护结构的VDMOS器件终端结构的理论设计、仿真结果及实际流片测试结果.器件采用40 μm
【机 构】
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浙江大学微电子与光电子研究所,杭州310027
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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本文介绍了目前功率器件终端保护结构的最新发展和自主研发的500V/18A、并带有ESD防护结构的VDMOS器件终端结构的理论设计、仿真结果及实际流片测试结果.器件采用40 μm、14 Ω·cm外延层进行流片,测试结果表明器件特征导通电阻达到8.4mm2,漏源击穿电压达到540V以上,验证了该终端结构设计的可行性.
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