VDMOS器件相关论文
简述了VDMOS器件制造工艺流程,介绍了其中常用的RCA清洗、SPM去胶、BOE腐蚀、Al腐蚀等湿法工艺,并对相关湿法设备的配置以及工作原......
对国产抗辐照VDMOS锎源辐照试验结果和制作工艺做了分析，深入研究了SEB和SEGR的机理，给出了大功率MOSFET抗单粒子辐照的加固方法，为新......
本文综述了基于宇航应用的大功率抗辐照VDMOS器件的研究背景及基本理论。并对国内外最新的研究进展进行了调查和介绍,最后总结了大......
本文对一种高功率BCD工艺中的VDMOS器件进行了优化设计。通过综合考量高功率BCD工艺中各种器件设计之间的制约与兼容性，并借助软件......
本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS 器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试，获得导......
利用X射线对在不同负载条件下的VDMOS进行了辐射试验，观察到VDMOS不同的辐射行为，在较大的负载情况下，VDMOS阈值电压漂移发生了“回弹......
针对国内的P沟道VDMOS的研究还比较缺乏的现状.本文在已有的N沟道VDMOS设计经验的基础上,提出了相应的工艺方法,并利用半导体仿真......
本文提出一种具有低导通压降的旁路开关电路.借助仿真软件,通过对用于旁路开关的传统肖特基二极管和本文所提新型旁路开关电路的各......
为了满足开关电源系统对功率器件的要求,基于深槽刻蚀工艺制作出了耐压为690 V左右的超结VDMOS器件,并通过Sentaurus TCAD软件......
超结VDMOS打破了传统多子器件的“硅限”，是功率半导体器件发展史上的里程碑式的结构。本文介绍了超结理论的提出及发展，分析了......
本文介绍了目前功率器件终端保护结构的最新发展和自主研发的500V/18A、并带有ESD防护结构的VDMOS器件终端结构的理论设计、仿......
基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行......
栅结构在某种程度上决定VDMOS器件的频率特性和耐压等基本性能.本文设计并研究了VDMOS器件的分栅结构和虚拟栅结构.通过模拟和器件......
VDMOS器件以其高耐压、低导通电阻等特性常用于功率集成系统中。功率集成系统在核辐照和空间辐照环境中的大量应用，对VDMOS器件辐照......
功率VDMOS器件具有高耐压,高开关速度,良好的热稳定性等一系列的优点,目前已在开关稳压电源、高频加热、计算机接口电路和功率放大......
随着科学技术的发展，以及宇航、军事工业和国际市场竞争的需要，对产品的可靠性的要求日益提高。功率VDMOS器件作为新一代高压大电流......
VDMOS器件是新一代电力电子开关器件。无论是开关应用还是线性应用，都是理想的功率器件，是当前半导体分立器件的高端产品，应用范围广，......
VDMOS器件具有开关速度快、输入阻抗高和负温度系数等一系列优点，是当前半导体分立器件的高端产品，应用范围广，市场需求大，发展前景好......
VDMOS是微电子技术和电力电子技术融和起来的新一代功率半导体器件。它具有开关速度快、输入阻抗高和负温度系数等一系列优点，广泛......
厚膜DC/DC电源模块广泛用于远程及数据通讯、计算机、办公自动化设备、工业仪器仪表、军事、航天等领域。随着厚膜DC/DC电源模块向......
高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件......
针对N＋掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N＋掺杂区为梯形结构。该结构减小了元胞的尺寸,提高了单......
文中应用预警和健全管理（PHM）方法，在深入研究了辐射导致VDMOS器件和DC／DC转换器性能退化之间关系的基础上，设计了基于VDMOS器件损伤的D......
经过近两年的努力，在广东省政府企业技术改造项目的资助下、在广东粤晶高科有限公司和华越微电子有限公司的协助下，浙大微电子目前成......
为了更直观地描述低压大电流VDMOS器件特性，对器件栅电荷特性进行了测量和提取。通过栅电荷曲线（VGS—QG），能导出器件的电容特性，驱动电......
随着电子产品的日趋发展,市场竞争愈演愈烈,商家对功率器件产品的品质要求也越来越高,高品质低成本是目前电子产品市场里最核心的......
本文介绍了高压功率VDMOS器件对外延层的要求;讨论了n~-/n~+高阻厚层外延的工艺难点及解决办法。研制的n~-/n~+高阻厚层外延片已成......
VDMOS器件具有开关速度快、开关损耗小、频率特性好等优点,被广泛应用于高频开关器件领域.利用TCAD软件对VDMOS器件进行建模仿真,......
MOSFET器件具有驱动电路简单、开关速度快、无二次击穿等固有优点,广泛应用于军工产品、消费类电子、工业产品、机电设备、智能手......
击穿电压是VDMOS器件的重要参数之一,器件的耐压能力主要由终端结构的击穿电压决定,但结曲面效应和表面电荷的存在制约着击穿电压......
本文主要针对半超结VDMOS器件的设计和应用进行简要讨论分析,并通过超结器件的工作原理缺点以及使用的改进方法,对其进行理论性质......
本文给出了具有场环和场板的穿通型ＶＤＭＯＳ结构的击穿电压的解析表达式。产通过与在ｎ／ｎ＾＋外延衬底上制造的带有场环的二级管结构的ＶＤＭＯＳ器件的实验结......
针对UPS(Uninterruptible Power Supply)的核心逆变器件VDMOS管工作在高功率、大电流下易损坏使得UPS无法正常工作、故障率高的问......
目前,DC/DC电源模块逐渐向着高效率、高功率以及高电流低电压的趋势发展,因此,人们对厚膜微组装DC/DC电源的可靠性要求更高。而作......
针对目前国内功率VDMOS器件成品率低、可靠性差等问题,采用低频噪声无损检测方法,通过分析功率VDMOS器件低频噪声的产生机理及特性......
VDMOS器件是当今功率半导体的主流器件之一,由于其价格便宜、高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及很好的热稳......
金属封装VDMOS器件在军事以及航天领域应用广泛。芯片烧结、引线键合和平行缝焊是封装的三个主要工序,直接影响封装的成品率和器件......
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VDMOS器件中的1/f噪声是表征该器件质量和可靠性的重要敏感参数,在检测器件噪声过程中,1/f噪声是被淹没在大量白噪声背景下的一种......
近年来，随着对电子元器件低频噪声的深入研究，人们发现低频噪声能敏感地反映电子元器件内部潜在的缺陷。因此，可以用噪声来分析和表征......
在微电子技术和电力电子技术的交叉推动下，功率集成电路（Power Integrated Circuit，简称PIC）得到迅速的发展，其应用领域也在不断扩大，目......
分析了VDMOS器件击穿电压、导通电阻、阈值电压和开关特性等主要性能指标的影响因素,并借助半导体模拟仿真软件Sentaurus对VDMOS器......
VDMOS器件是场效应晶体管之一,具有稳定电路的性质,由垂直双扩散金属-氧化物半导体组成,是由电压控制的器件。工作原理是依靠栅极......
整机小型化的发展对厚膜微组装DC／DC电源提出了更高的可靠性要求，VDMOS器件作为DC／DC电源的开关器件，其性能退化失效将直接影响电源效......
