【摘 要】
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本文从表面等离子激元对叠层电池电学特性影响方面入手，研究了纳米Ag颗粒表面等离子激元对np隧穿结电阻的影响问题。采用20nm微晶n层/20 nm微晶p层的测试结构对模拟叠层电池np隧穿结特性进行模拟，并在其中引入纳米Ag颗粒作为中间层。通过对np结构与n/interlayer/p结构的光态及暗态I-V特性对比分析表明：叠层电池中的np隧穿结具有良好的欧姆接触特性，能够形成载流子的有效隧穿复合;在n
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071
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本文从表面等离子激元对叠层电池电学特性影响方面入手，研究了纳米Ag颗粒表面等离子激元对np隧穿结电阻的影响问题。采用20nm微晶n层/20 nm微晶p层的测试结构对模拟叠层电池np隧穿结特性进行模拟，并在其中引入纳米Ag颗粒作为中间层。通过对np结构与n/interlayer/p结构的光态及暗态I-V特性对比分析表明：叠层电池中的np隧穿结具有良好的欧姆接触特性，能够形成载流子的有效隧穿复合;在np隧穿结中引入纳米Ag颗粒作为中间层，纳米Ag颗粒在光照下激发出表面等离子激元，其高能表面电场有利于光照下np结隧穿电阻明显降低。
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我们使用电子束蒸发交替蒸镀多层的碲、镍亚层，经过热处理制备出了碲镍化合物。研究了不同碲、镍原子比的薄膜经过不同温度退火的结构。发现退火温度比较低时候，除了存在非晶态的物质外，还有晶态Te，NiTe，NiTe2。随着退火温度的升高晶态碲单质消失。将NiTeχ薄膜用作CdTe多晶薄膜太阳的背接触层，二极管因子减小，载流子浓度增加，太阳电池器件性能得到明显改善，转换效率大幅度提高。
采用PECVD技术在柔性不锈钢衬底上制备径向p-i-n硅纳米线(Silicon Nanowires-SiNWs)太阳能电池以及硅薄膜电池。电流一电压测试表明硅纳米线电池的开路电压为0.57 V，短路电流密度为20.23 mA/cm2、转化效率达3.83％。与硅薄膜电池相比，硅纳米线电池电流密度显著提高，我们将其归因于硅纳米线电池具有较低的光反射，因而能更充分吸收太阳光。
用共蒸发法制备了Cu2Te多晶薄膜，并对刚沉积和退火后薄膜的结构、光学性质、电学性质作了表征。结果表明退火对薄膜的结构影响显著，薄膜由非晶态变成了结晶态。经过退火以后薄膜的透过率增加，可见薄膜的晶化有利于光的透过。霍尔效应表明Cu2Te是一种良好的p型材料，退火有利于提高栽流子的迁移率，而其栽流子浓度也达到了1.88×1021cm-3。电导率-温度曲线说明退火过程有利于薄膜的结晶化。
在染料敏化太阳电池(DSC)中，电解质的添加剂通过对Ti02的表面修饰调控开路电压或短路电流从而提高DSC的光伏性能。本文通过线性扫描法、电化学阻抗法研究了一元和二元离子液体电解质中4-叔丁基吡啶(TBP)、N-甲基苯并咪唑(NMBl)和苯并咪唑(B1)三种添加剂对电池界面特性、I-和I-3扩散及电解质电化学窗口的影响。研究结果表明：两种离子液体与不同添加剂之间可能存在相互作用，从而影响了TiO2
早在19世纪光敏化技术的发现和20世纪60年代到90年代半导体光电化学和纳米技术的飞速发展，染料敏化太阳电池的研究一直处于研究的前沿，但早期在这方面的研究主要是集中在平板电极上，由于平板电极表面只能吸附单分子层染料，其光电转换效率始终在1％以下无法得到提高，远未达到实用水平。瑞士洛桑高等工业学院(EPFL)Gr(a)tzel教授领导的小组一直致力于染料敏化太阳电池(DSC)的研究。1991年，他们
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