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如何实现单壁碳纳米管的结构控制制备及手性表征是碳纳米管科学中的两个重大课题，本文发展了一种单壁碳纳米管结构控制制备与手性表征的新方法(Fig.1).首先，系统考察了基底的表面结构对单壁碳纳米管形貌的影响，提出了取向生长中的基底诱导效应，实现了碳纳米管的取向控制制备；其次，从理论和实验角度共同证实了碳纳米管和石墨间的特殊构型关系，发现石墨基底诱导下单壁碳纳米管的生长取向具有手性选择性；再次，结合碳纳米管手性指数与结构的内在关系，阐述了单壁碳纳米管手性结构表征的宏观思路；最后，基于石墨基底诱导效应发展了单壁碳纳米管手性结构(旋光性、手性角和手性指数)的便捷表征方法，适用于阵列单壁碳纳米管的批量表征.