【摘 要】
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本文用竖式炉流动法,以二茂铁为催化剂,硫为助催化剂,苯为碳源制备了碳纳米管,反应温度为1100~1200℃,碳纳米管的外径为20~40 nm,内径10~30 nm,长度5~20μm.以聚碳硅烷(PCS)为先躯体,碳纳米管为增强体,通过前驱体裂解法制备了碳纳米管/纳米碳化硅复合材料,纳米碳化硅的晶粒尺寸为10~40 nm.研究了碳纳米管/纳米碳化硅复合材料在2~18 GHz的微波电磁特性,碳纳米管/
【机 构】
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北京化工大学,化工资源有效利用国家重点实验室,北京,100029
【出 处】
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二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛
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本文用竖式炉流动法,以二茂铁为催化剂,硫为助催化剂,苯为碳源制备了碳纳米管,反应温度为1100~1200℃,碳纳米管的外径为20~40 nm,内径10~30 nm,长度5~20μm.以聚碳硅烷(PCS)为先躯体,碳纳米管为增强体,通过前驱体裂解法制备了碳纳米管/纳米碳化硅复合材料,纳米碳化硅的晶粒尺寸为10~40 nm.研究了碳纳米管/纳米碳化硅复合材料在2~18 GHz的微波电磁特性,碳纳米管/纳米碳化硅复合材料介电常数的虚部(ε")和介电损耗(tgδε=ε"/ε)较高,ε"和tgδε分别在14.8和16.4GHz出现吸收峰,是较为理想的微波吸收材料。
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以铝为负极的铝空气电池具有较高的理论电压和比能量,有很好的发展前景,一直是研究的热点,但铝阳极的腐蚀和极化相当严重,制约了铝空气电池的开发和应用。热处理能显著地影响铝阳极的电化学性能,适当的热处理有利于减小负极材料的腐蚀和极化,改善负极性能。本文阐述了近年来铝空气电池负极材料-铝及铝合金热处理的研究进展。
本文采用水热刻蚀法在硅片上制备了硅纳米线(SiNW)阵列,然后用化学气相沉积法在SiNW上包覆TiO2,并且在Si片上直接沉积了TiO2作为对比,用扫描电镜观察了SiNW和SiNW-TiO2的形貌。X射线衍射(XRD)表明,TiO2为锐钛矿相,沿(101)和(200)晶面优势生长,在0.01mol/LNa2SO4溶液中测量了SiNW-TiO2和Si-TiO2的光电流,在紫外光照射下,SiNW-Ti
本文分别制备了以Co(Ⅲ)、Fe(Ⅲ)、Fe(Ⅱ)、Cr (Ⅲ)、Ni(Ⅱ)、Mn(Ⅲ)、Mo(Ⅳ)、Cd(Ⅱ)为中心金属的双金属络合物催化剂,并用于催化环氧丙烷与CO2的反应。结果表明,以ⅧB族的Fe(Ⅲ),Co(Ⅲ),Ni(Ⅱ)作为DMC的中心金属时,催化剂有较好的催化效率,共聚物中CO2分数达到0.3以上,碳酸亚丙酯含量低于30%,而含其它过渡金属催化剂的效率和共聚物CO2分数都相对较低,且
本文用铝基活性钎料对碳/碳复合材料进行了真空钎焊,并对接头的微观组织、形成机理和接头强度进行了试验研究。结果表明,使用铝基活性钎料可以实现碳/碳复合材料的连接。观察发现,钎料与碳/碳复合材料钎焊接头存在一层较厚的过渡层,性质介于金属与碳/碳复合材料之间。获得这种过渡层对缓和焊接残余应力十分有利,剪切强度试验测试达12.33MPa。
本文采用真空熔炼的方法制备了高强度高导电的Cu-Ag-Zr和Cu-Ag-Zr-Ce合金,通过显微硬度测试、电导率测试、抗拉强度测试等方法,对这两种合金的性能进行了研究,并探讨了Ce对Cu-Ag-Zr合金性能的影响。结果表明,微量稀土Ce的加入,能够明显提高Cu-Ag-Zr合金的显微硬度、抗拉强度,但合金的导电性能略有降低,同时抑制合金的再结晶过程,使其再结晶温度相对提高约50℃左右。
本文通过差热-热重(DTA-TG)联用仪、X射线衍射以及磁测量等手段,研究了R2Fe17化合物的结构和磁性。通过对R2F17化合物的DTA-TG分析得到:当温度从室温(约300K)升至1473K的过程中,在N2保护的条件下,间隙原子N原子扩散进入R2Fe17化合物中,导致R2Fe17x化合物的居里温度显著提高。当温度为640K左右时吸氮反应最剧烈,在吸氮反应的同时,温度继续升高R2Fe17Nx化合
本文用水蒸气活化法制备了粘胶基活性碳纤维,利用低温(77K)N2吸附法测定粘胶基活性碳纤维的BET比表面积和孔结构,活性碳纤维的比表面积为1411m2/g,微孔孔容为0.400m3/g,以粘胶基活性碳纤维为电极制备了超级电容器。采用直流恒流循环法对超级电容器进行充放电测试,粘胶基活性碳纤维电极的电化学测试表明,粘胶基活性碳纤维具有性能稳定、充放电效率高、适合于大电流充放电等优良性能,粘胶基活性碳纤
本文用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。生长过程中用反射高能电子衍射(RHEED)对薄膜进行了监测,生长结束后用台阶仪、电子探针和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了检测。通过测试分析,对用PLD方法在Si(111)衬底上制备的ZnO薄膜的生长特点、生长方式、生长速度、薄膜的形貌和成分等有了更深入的了解。
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本文利用化学溶液沉积技术(CSD)在玻璃和单晶硅(100)衬底上成功制备出了符合化学计量比的钨酸钙多晶薄膜,采用X射线衍射技术(XRD)分析了薄膜的晶相结构,利用原子力显微镜(AFM)对其表面形貌进行了表征,使用荧光分光光度计测试了薄膜在室温下的发光特征。结果表明,通过化学溶液沉积技术(CSD)可以制备出具有单一四方相白钨矿结构的钨酸钙多晶薄膜,所制备的薄膜表面均匀,晶界清晰明显,并且在室温条件下