【摘 要】
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本文介绍了CMOS工艺的IR4427驱动器伽马剂量率辐射效应试验原理、方法和结果.给出了在不同剂量率辐照下IR4427驱动器的抗伽马剂量率辐射能力.试验结果表明:IR4427驱动器的逻
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳919-511信箱 621999
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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本文介绍了CMOS工艺的IR4427驱动器伽马剂量率辐射效应试验原理、方法和结果.给出了在不同剂量率辐照下IR4427驱动器的抗伽马剂量率辐射能力.试验结果表明:IR4427驱动器的逻辑扰动阈值剂量率在(1.0～1.5)×107Gy(Si)/s之间;闭锁阈值剂量率大约在(7.0～8.5)×107Gy(Si)/s之间,闭锁电流很低,在mA量级.应用电阻限流措施对驱动器进行了抗伽马剂量率加固设计,结果表明,加固措施有效,在ms级扰动后驱动器输出可恢复到初始状态.
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